申请/专利权人:东京毅力科创株式会社
申请日:2020-08-07
公开(公告)日:2021-02-23
公开(公告)号:CN112391612A
主分类号:C23C16/455(20060101)
分类号:C23C16/455(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/458(20060101);C23C16/50(20060101)
优先权:["20190819 JP 2019-149953"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.02.25#实质审查的生效;2021.02.23#公开
摘要:本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时,抑制第1膜或第2膜的氮化,且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序:向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序;向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序;依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序,形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序;向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体,形成氮化硅的薄层的工序;向基板供给原料气体和第1氮化气体,在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
主权项:1.一种成膜方法,其为在供给包含硅的原料气体和将所述硅进行氮化的第1氮化气体时,在表面具备直至氮化硅膜生长开始所需的孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板上,成膜该氮化硅膜的成膜方法,所述成膜方法具备如下工序:向所述基板供给等离子体化的氢气的工序;向所述基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序;交替地重复进行供给所述等离子体化的氢气的工序与供给所述处理气体的工序,形成覆盖所述第1膜和所述第2膜的硅的薄层的工序;向所述基板供给用于使所述硅的薄层氮化的第2氮化气体,形成氮化硅的薄层的工序;和,向所述基板供给所述原料气体和所述第1氮化气体,在所述氮化硅的薄层上成膜所述氮化硅膜的工序。
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百度查询: 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
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