申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

申请日：2020-08-11

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112399116A

主分类号：H04N5/378(20110101)

分类号：H04N5/378(20110101);H04N5/369(20110101)

优先权：["20190812 US 62/885,387","20200317 US 16/821,767"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.01.24#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.02.23#公开

摘要：本发明公开了成像电路，该成像电路可包括用于在模拟域中实施充电模式特征提取的电路。该成像电路可包括被配置为产生像素值的像素。然后可使用可调加权电路对该像素值进行加权，以产生对应的加权像素值。然后可将该加权像素值组合以获得神经网络中至少一层的输出神经元电压。该输出神经元电压可存储在空闲像素中，可与其他加权像素值组合，并且可在该数字域中进行处理之前被进行其他操作。在该模拟域中对该神经网络中每一层结果执行特征提取，通过避免了将数据移至常规数字存储器的需求，而节省了功率和面积。

主权项：1.成像电路，所述成像电路包括：第一像素，所述第一像素被配置为输出第一像素值；第二像素，所述第二像素被配置为输出第二像素值；第一可调电路，所述第一可调电路被配置为向所述第一像素值施加第一加权因子以产生第一加权像素值；第二可调电路，所述第二可调电路被配置为向所述第二像素值施加第二加权因子以产生第二加权像素值；以及输出电路，所述输出电路被配置为将所述第一加权像素值和所述第二加权像素值组合以产生模拟输出电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 成像电路

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