申请/专利权人：硅存储技术股份有限公司

申请日：2019-06-04

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112400230A

主分类号：H01L27/11524(20060101)

分类号：H01L27/11524(20060101);H01L29/66(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/788(20060101)

优先权：["20180705 US 16/028,244"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明公开了存储器设备，该存储器设备包括半导体衬底上表面中的多个向上延伸的鳍。存储器单元形成在鳍中的第一鳍上，并且包括源极区和漏极区，该源极区和该漏极区在第一鳍中间隔开，其中沟道区沿第一鳍的顶表面和相对的侧表面在源极区和漏极区之间延伸。浮栅沿沟道区的第一部分延伸。选择栅沿沟道区的第二部分延伸。控制栅沿浮栅延伸。擦除栅沿源极区延伸。鳍中的第二鳍具有在第一方向上延伸的长度，该第一方向垂直于第一鳍的长度延伸的第二方向。源极区在第一鳍和第二鳍的交汇处形成于第一鳍中。

主权项：1.一种存储器设备，所述存储器设备包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有上表面，所述上表面具有多个向上延伸的鳍，其中所述鳍中的每个鳍包括彼此相对并且终止于顶表面的第一侧表面和第二侧表面；存储器单元，所述存储器单元形成在所述多个鳍中的第一鳍上，所述存储器单元包括：源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区在所述第一鳍中间隔开，其中所述第一鳍的沟道区沿所述第一鳍的所述顶表面和相对的所述侧表面在所述源极区和所述漏极区之间延伸，浮栅，所述浮栅沿所述沟道区的第一部分延伸，其中所述浮栅沿所述第一鳍的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述顶表面延伸并且与所述第一鳍的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述顶表面绝缘，选择栅，所述选择栅沿所述沟道区的第二部分延伸，其中所述选择栅沿所述第一鳍的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述顶表面延伸并与所述第一鳍的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述顶表面绝缘，控制栅，所述控制栅沿所述浮栅延伸并与所述浮栅绝缘，和擦除栅，所述擦除栅沿所述源极区延伸并与所述源极区绝缘；所述多个鳍中的第二鳍具有在第一方向上延伸的长度，其中所述第一鳍具有在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的长度，并且其中所述源极区在所述第一鳍和所述第二鳍的交汇处形成于所述第一鳍中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 硅存储技术股份有限公司 具有三维鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD