申请/专利权人：霓达杜邦股份有限公司

申请日：2019-08-01

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112400005A

主分类号：C09K3/14(20060101)

分类号：C09K3/14(20060101);B24B37/00(20120101);H01L21/304(20060101);C07F7/18(20060101)

优先权：["20180803 JP 2018-146643"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.16#授权;2021.06.22#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明提供一种即便降低磨粒浓度亦可快速地去除氧化膜的研磨用组合物。研磨用组合物包含：硅烷醇基密度为2.0OHnm2以上的二氧化硅；及末端具有氨基、甲氨基、二甲氨基或季铵基的有机硅化合物，上述有机硅化合物具有2个以上的键合于Si原子的烷氧基或羟基。其中，上述有机硅化合物的季铵基不具有碳数为2以上的烷基。

主权项：1.一种研磨用组合物，其包含：硅烷醇基密度为2.0OHm2以上的二氧化硅、及末端具有氨基、甲氨基、二甲氨基或季铵基的有机硅化合物，所述有机硅化合物具有2个以上的键合于Si原子的烷氧基或羟基，其中，所述有机硅化合物的季铵基不具有碳数为2以上的烷基。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 霓达杜邦股份有限公司 研磨用组合物

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