申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2020-08-13

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397448A

主分类号：H01L21/78(20060101)

分类号：H01L21/78(20060101);H01L21/56(20060101);H01L21/304(20060101)

优先权：["20190813 JP 2019-148594"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.08.05#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：提供封装的制造方法，能够降低器件晶片破损的可能性。封装的制造方法具有如下的步骤：器件晶片准备步骤ST1，准备器件晶片；槽形成步骤ST2，从器件晶片的正面沿着分割预定线形成达到器件芯片的完工厚度的深度的槽；正面密封步骤ST3，利用密封材料将器件晶片的正面密封并利用密封材料填充槽；背面磨削步骤ST5，对器件晶片的与器件区域对应的背面进行磨削而形成到达槽的深度的凹部，并形成围绕凹部的与外周剩余区域对应的环状凸部；背面密封步骤ST7，在凹部中填充密封材料来进行密封；以及分割步骤ST9，从器件晶片的正面沿着槽形成宽度比槽窄的分割槽，对器件晶片进行分割而形成器件芯片被密封材料密封的多个封装。

主权项：1.一种封装的制造方法，该封装是利用密封材料密封器件芯片而得的，其中，该封装的制造方法具有如下的步骤：器件晶片准备步骤，准备器件晶片，该器件晶片具有如下的正面：该正面具有在由交叉的多个分割预定线划分的区域中分别形成有器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域；槽形成步骤，从该器件晶片的正面沿着该分割预定线形成达到器件芯片的完工厚度的深度的槽；正面密封步骤，在实施了该槽形成步骤之后，利用密封材料将该器件晶片的该正面密封并且利用该密封材料填充该槽；背面磨削步骤，在实施了该正面密封步骤之后，对该器件晶片的与该器件区域对应的背面进行磨削而形成达到该槽的深度的凹部，并且形成围绕该凹部的与该外周剩余区域对应的环状凸部；背面密封步骤，在实施了该背面磨削步骤之后，在该凹部中填充密封材料来进行密封；以及分割步骤，在实施了该背面密封步骤之后，从该器件晶片的该正面沿着该槽形成宽度比该槽窄的分割槽，对该器件晶片进行分割而形成器件芯片被密封材料密封的多个封装。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 封装的制造方法

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