申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-08-14

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397641A

主分类号：H01L43/08(20060101)

分类号：H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);G11C11/16(20060101)

优先权：["20190816 KR 10-2019-0100419"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.07.15#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：一种磁性存储器件包括：第一单元阵列结构，其包括在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一自由磁性图案和第二自由磁性图案；以及第二单元阵列结构，其包括在第一自由磁性图案与第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及与第三自由磁性图案间隔开且第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案。第一单元阵列结构还包括第一晶体管区域，其包括分别连接到第一自由磁性图案和第二自由磁性图案的第一晶体管。第二单元阵列结构还包括第二晶体管区域，其包括分别连接到第三自由磁性图案和第四自由磁性图案的第二晶体管。第二晶体管区域在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。

主权项：1.一种磁性存储器件，包括：第一单元阵列结构，其包括第一自由磁性图案和第二自由磁性图案，所述第一自由磁性图案和所述第二自由磁性图案在衬底的表面上沿第一方向延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及第二单元阵列结构，其包括在所述第一自由磁性图案与所述第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及在所述第二方向上与所述第三自由磁性图案间隔开且所述第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案，其中，所述第一单元阵列结构还包括第一晶体管区域，所述第一晶体管区域包括分别连接到所述第一自由磁性图案和所述第二自由磁性图案的第一晶体管，其中，所述第二单元阵列结构还包括第二晶体管区域，所述第二晶体管区域包括分别连接到所述第三自由磁性图案和所述第四自由磁性图案的第二晶体管，以及其中，所述第二晶体管区域在所述第一方向上与所述第一晶体管区域间隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 磁性存储器件

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