申请/专利权人：武汉市晶博特科技有限公司

申请日：2020-10-28

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112387130A

主分类号：B01D71/02(20060101)

分类号：B01D71/02(20060101);B01D67/00(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2021.10.26#发明专利申请公布后的撤回;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明涉及沸石膜制备技术领域，特别是一种纯硅沸石复合膜及其制备方法，本发明制备方法主要采用含硅烷偶联剂的改性溶液对多孔载体进行改性，通过硅烷偶联剂来改善多孔载体在改性溶液中的分散性以及多孔载体与有机改性溶液的结合力，大大增加了改性有机物与多孔载体的界面结合的牢固性以及改性物质在载体表面和载体孔隙中的覆盖率，而后通过高温处理将已经全面覆盖于载体表面的改性有机物炭化为一层碳膜。本发明所制备的纯硅沸石膜显示出较低的气体分子、液体分子传输阻力和较高的分离选择性，具有优越的分离性能，同时本发明的纯硅沸石膜制备方法简单、节能环保，可以推广到其他类型沸石膜的制备中，适合沸石膜规模化生产。

主权项：1.一种纯硅沸石复合膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1多孔载体的预处理：首先，利用稀盐酸对多孔载体进行浸泡处理，然后依次用丙酮、去离子水对载体进行洗涤、干燥，获得无油、无金属杂质的多孔载体；2多孔载体的改性处理：将步骤1所得多孔载体加入到含硅烷偶联剂的改性溶液中，于40-60℃下搅拌反应6-12h后将混合物分离、干燥，然后将处理后的多孔载体于600-1200℃下碳化处理3-6h，碳化处理结束后采用砂纸打磨、漂洗、干燥即获得改性处理的多孔载体；3纯硅沸石复合膜的合成：配制一定浓度的纯硅沸石晶化液，并将步骤2制得的改性多孔载体放置的聚四氟乙烯反应釜中心，然后将纯硅沸石晶化液小心加入不锈钢反应釜中至液面浸没载体，进行水热反应，晶化结束后将所得纯硅沸石复合膜用去离子水洗涤、干燥、高温焙烧脱出模板剂即得。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉市晶博特科技有限公司 一种纯硅沸石复合膜及其制备方法和应用

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