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【发明公布】一种大尺寸X面KTP晶体及其生长方法_山东重山光电材料股份有限公司_202011244403.2 

申请/专利权人:山东重山光电材料股份有限公司

申请日:2020-11-10

公开(公告)日:2021-02-23

公开(公告)号:CN112391678A

主分类号:C30B29/14(20060101)

分类号:C30B29/14(20060101);C30B9/12(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.04.19#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要:本发明涉及非线性晶体材料技术领域,具体涉及一种大尺寸X面KTP晶体及其生长方法,所述大尺寸X面KTP晶体采用如下生长方法制得,以X面作为籽晶生长面,将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长,晶体生长过程中不提拉籽晶,所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直,且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择,从而缩小KTP晶体在X轴、Y轴和Z轴三个方向上的生长速度差异,并最终获得具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率的KTP晶体。

主权项:1.一种大尺寸X面KTP晶体生长方法,其特征在于,所述方法为以X面作为籽晶生长面,将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长,晶体生长过程中不提拉籽晶,所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直,且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 山东重山光电材料股份有限公司 一种大尺寸X面KTP晶体及其生长方法

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