申请/专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司

申请日：2020-11-12

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397505A

主分类号：H01L27/082(20060101)

分类号：H01L27/082(20060101);H01L27/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.14#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明提供一种硅控整流器和静电放电保护器件，涉及半导体技术领域，可以在SCR导通时，电流路径为第三掺杂区至第二阱区，由于第一阱区至第二阱区的崩溃电压大于第三掺杂区至第二阱区的崩溃电压，故，可以有效的降低SCR的导通电压Vt1。同时，由于只将第一掺杂区作为电流输入端的电压VDD，且隔离层在鳍体的竖向的两侧形成隔离，第二掺杂区则在第一掺杂区的右侧完全挡住第一掺杂区，在整个电流路径中，由第一掺杂区和第二掺杂区形成一个逆偏的二极体，故，在整个SCR导通后，其维持电压多了一个逆偏二极体的崩溃电压，因此也就提高了整个SCR的维持电压，可以有效改善闩锁问题。

主权项：1.一种硅控整流器，其特征在于，包括：基底，在所述基底上形成有第一阱区和第二阱区，在所述第一阱区和所述第二阱区上形成有鳍体；所述鳍体包括沿鳍体延伸方向顺次间隔设置的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区和第五掺杂区，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述第一阱区，所述第三掺杂区横跨于所述第一阱区和所述第二阱区，所述第四掺杂区和所述第五掺杂区位于所述第二阱区，所述第一阱区、所述第一掺杂区、所述第三掺杂区和所述第四掺杂区为第一掺杂类型，所述第二阱区、所述第二掺杂区和所述第五掺杂区为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型不同；所述第一掺杂区用于连接电流输入端，所述第四掺杂区和所述第五掺杂区用于连接电流输出端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 一种硅控整流器和静电放电保护器件

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