申请/专利权人:西交利物浦大学
申请日:2020-11-16
公开(公告)日:2021-02-23
公开(公告)号:CN112397392A
主分类号:H01L21/44(20060101)
分类号:H01L21/44(20060101);H01L21/34(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/445(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/51(20060101);H01L29/78(20060101);G01L1/18(20060101);G01L9/06(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.09.12#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开
摘要:本发明涉及一种仿生突触晶体管的制备方法,包括:S1、提供衬底,在衬底的一表面形成源电极和漏电极;S2、制备沟道层前驱体水溶液,并在源电极、漏电极和衬底上旋涂形成沟道层;S3、制备电荷俘获‑隧穿层前驱体水溶液,并在沟道层上旋涂形成电荷俘获‑隧穿层;S4、制备铁电绝缘层前驱体水溶液,并在电荷俘获‑隧穿层上旋涂形成铁电绝缘层;S5、在铁电绝缘层上表面形成栅电极,得到仿生突触晶体管。整个制备工艺可在非真空大气条件下进行,并且温度不超过300℃,属于低温工艺,工艺简单,无需传统意义上的光刻与真空镀膜,可大幅减少制备时长,生产成本较低,得到的仿生突触晶体管基于可在感受器、存储器和人工智能领域中有重要应用潜力。
主权项:1.一种仿生突触晶体管的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:S1、提供衬底,在所述衬底的一表面形成源电极和漏电极;S2、制备沟道层前驱体水溶液,并在所述源电极、漏电极和衬底上旋涂形成沟道层;S3、制备电荷俘获-隧穿层前驱体水溶液,并在所述沟道层上旋涂形成电荷俘获-隧穿层;S4、制备铁电绝缘层前驱体水溶液,并在所述电荷俘获-隧穿层上旋涂形成铁电绝缘层;S5、在所述铁电绝缘层上表面形成栅电极,得到仿生突触晶体管。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西交利物浦大学 仿生突触晶体管及其制备方法
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