【发明公布】一种高强高导电率的铝基导体及制备方法_上海理工大学_202011280118.6 

申请/专利权人:上海理工大学

申请日:2020-11-16

发明/设计人:陈小红;郭未椿;刘平;周洪雷;武家艳;方航;朱炎波;任钰鹏;张道乾

公开(公告)日:2021-02-23

代理机构:北京迎硕知识产权代理事务所(普通合伙)

公开(公告)号:CN112391561A

代理人:钱扬保;张群峰

主分类号:C22C21/00(20060101)

地址:200093 上海市杨浦区军工路516号

分类号:C22C21/00(20060101);C22C1/03(20060101);C22F1/04(20060101);H01B1/02(20060101);H01B13/00(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.02.23#公开

摘要:本发明公开了一种高强高导电率的铝基导体及制备方法,所述铝基导体包括如下质量百分比的物质组成:0.3‑0.5%的Fe,0‑0.1%的Si,0.1‑0.3%的Er,余量为Al和杂质。本发明通过深入研究,发现了各元素之间的作用机理,优选出Al‑Fe‑Si‑Er最佳组分配比范围,并结合熔炼和后处理工艺,最终得到综合性能优异的合金线材。

主权项:1.一种高强高导电率的铝基导体,其特征在于:包括如下质量百分比的物质组成:0.3-0.5%的Fe,0-0.1%的Si,0.1-0.3%的Er,余量为Al和杂质。

全文数据:

权利要求:

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