申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2020-11-16

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397377A

主分类号：H01L21/18(20060101)

分类号：H01L21/18(20060101);H01L23/48(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明提供了一种第一芯片与晶圆键合方法、芯片堆叠结构，包括：提供第一层第一芯片，第一芯片包括第一金属层；提供晶圆，所述晶圆包括第二金属层；将第一芯片与晶圆键合；形成绝缘层和开孔，所述绝缘层覆盖第一芯片周侧的晶圆或填充若干第一芯片在晶圆上的间隙；在第一芯片外围的绝缘层内形成开孔，互连结构位于开孔中，第一金属层、第二金属层和互连结构三者电连接，实现第一芯片与晶圆的电性连接。无需在第一芯片内部制作TSV，降低了第一芯片内部连线的设计难度，节省了第一芯片面积。无TSV结构，避免了衬底和TSV间的电性如绝缘性、寄生电容等问题，且不需考虑第一芯片厚度差异对通孔刻蚀的影响，降低了工艺难度。

主权项：1.一种第一芯片与晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一层第一芯片，所述第一层第一芯片包括N个第一芯片，每个所述第一芯片包括第一衬底、位于所述第一衬底上的第一介质层和嵌设于所述第一介质层中的第一金属层，N为≥1的整数；提供晶圆，所述晶圆包括第二金属层；将N个所述第一芯片与所述晶圆键合；当N≥2时，N个所述第一芯片在所述晶圆上间隔分布；形成绝缘层和开孔，当N＝1时，所述绝缘层覆盖1个所述第一芯片的顶面和1个所述第一芯片周侧的所述晶圆；当N≥2时，所述绝缘层覆盖N个所述第一芯片的顶面且填充N个所述第一芯片在所述晶圆上的间隙；N＝1或N≥2，位于所述晶圆上的所述绝缘层的顶面均高于所述第一芯片的顶面；所述开孔包括第一开孔，所述第一开孔贯穿所述绝缘层和部分厚度的所述晶圆并暴露出所述第二金属层；形成互连结构，所述互连结构填充于所述开孔中，所述第一金属层、所述第二金属层和所述互连结构三者电连接。

全文数据：

权利要求：

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