【发明公布】一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物/碳复合材料及其制备方法和应用_西北大学_202011282462.9 

申请/专利权人:西北大学

申请日:2020-11-16

发明/设计人:王贝贝;王刚;马生华;焦筱娟;王惠

公开(公告)日:2021-02-23

代理机构:哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司

公开(公告)号:CN112397699A

代理人:侯静

主分类号:H01M4/36(20060101)

地址:710069 陕西省西安市太白北路229号

分类号:H01M4/36(20060101);H01M4/58(20100101);H01M4/62(20060101);H01M4/136(20100101);H01M4/1397(20100101);H01M4/04(20060101);H01M10/054(20100101);H01M10/058(20100101);C01B19/00(20060101);C01B32/05(20170101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.02.23#公开

摘要:一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物碳复合材料及其制备方法和应用,它涉及一种金属硫属化合物复合材料及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有过渡金属硫属化合物存在导电性低,体积效应大,机械强度较差的缺点,将其用作钾离子电池负极材料时存在比容量和倍率性能均低的问题。一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物碳复合材料是通过水热合成及高温煅烧原位引入阴离子的方法制备而成,化学式为WMxN2‑xC,且M和N为不同元素。方法:一、制备网络碳骨架;二、过渡金属硫族化合物与网络碳骨架复合;一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物碳复合材料作为钾离子电池负极材料使用。

主权项:1.一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物碳复合材料,其特征在于一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物碳复合材料是通过水热合成及高温煅烧原位引入阴离子的方法制备而成,化学式为WMxN2-xC,其中所述的M为S、Se或Te,N为S、Se或Te,且M和N为不同元素;所述的x的取值范围为0x2。

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