申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-11-17

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397386A

主分类号：H01L21/3213(20060101)

分类号：H01L21/3213(20060101);H01L23/522(20060101);H01L49/02(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2022.11.25#发明专利申请公布后的撤回;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本申请公开了一种MIM电容的制造方法，涉及半导体制造领域。该MIM电容的制造方法包括在衬底表面形成第一金属层，第一金属层用于形成MIM电容的下极板；在第一金属层的表面形成电介质层；在电介质层的表面形成第二金属层，第二金属层用于形成MIM电容的上极板；依次刻蚀第二金属层、电介质层、第一金属层，形成MIM电容；其中，在第一金属层和第二金属层的刻蚀过程中，刻蚀气体包括CH4、氯基气体或氟基气体；第一金属层和第二金属层的材料为氮化钽；解决了现有的刻蚀工艺刻蚀氮化钽时生成的含钽聚合物难以被去除的问题；达到了避免材料为氮化钽的MIM电容在制造过程中残留含钽聚合物的效果。

主权项：1.一种MIM电容的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底表面形成第一金属层，所述第一金属层用于形成MIM电容的下极板；在所述第一金属层的表面形成电介质层；在所述电介质层的表面形成第二金属层，所述第二金属层用于形成MIM电容的上极板；刻蚀所述第二金属层、所述电介质层、所述第一金属层，形成MIM电容；其中，在所述第一金属层和所述第二金属层的刻蚀过程中，刻蚀气体包括氯基气体或氟基气体、CH4；所述第一金属层和所述第二金属层的材料为氮化钽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 MIM电容的制造方法

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