申请/专利权人:联合微电子中心有限责任公司
申请日:2020-11-17
公开(公告)日:2021-02-23
公开(公告)号:CN112397445A
主分类号:H01L21/768(20060101)
分类号:H01L21/768(20060101);H01L23/538(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.08.01#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开
摘要:本发明提供一种TSV导电结构、半导体结构及制备方法,TSV导电结构包括衬底、TSV导电柱及TSV导电块,TSV导电柱与TSV导电块为一体成型,TSV导电柱的一端显露于衬底,TSV导电柱的另一端与TSV导电块相接,且TSV导电块的横截面积大于TSV导电柱的横截面积,以及衬底显露TSV导电块,从而可在进行TSV导电结构的导电引出时,通过TSV导电块增大接触面积,以有效降低由对准偏差所带来的接触不良的风险概率,以及可有效降低互连失效的风险概率,TSV导电结构的深度均一性容忍度较高,应用范围较广,且制备工艺较简单,易于实施,制造成本较低。
主权项:1.一种TSV导电结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供衬底;刻蚀所述衬底,形成相贯通的TSV孔及TSV凹槽;采用导电材料经一体成型填充所述TSV孔及TSV凹槽,以形成TSV导电柱及TSV导电块,所述TSV导电柱的一端显露于所述衬底,所述TSV导电柱的另一端与所述TSV导电块相接,且所述TSV导电块的横截面积大于所述TSV导电柱的横截面积;去除部分所述衬底,以显露所述TSV导电块。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 联合微电子中心有限责任公司 TSV导电结构、半导体结构及制备方法
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