申请/专利权人：思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司

申请日：2020-11-25

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397479A

主分类号：H01L23/522(20060101)

分类号：H01L23/522(20060101);H01L49/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.07.22#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明揭示了一种隔离电容及其制备方法，所述隔离电容包括衬底、位于衬底上的第一电极板和第二电极板、位于第一电极板和衬底之间的第一介质层、及位于第二电极板和第一电极板之间的第二介质层，第二电极板位于第一电极板上方，所述第二电极板包括第二主体部及自第二主体部向外延伸的第二延伸部，所述第二延伸部沿远离第一电极板的方向向外弯曲设置。本发明通过在隔离电容电极板的边缘设置弯曲的延伸部，大幅减轻了电极的边缘电场集中效应，提高了隔离电容的使用寿命；隔离电容的制备工艺与传统CMOS工艺完全兼容，只增加一道低成本光罩，大大降低了高压隔离电路的设计难度。

主权项：1.一种隔离电容，其特征在于，所述隔离电容包括衬底、位于衬底上的第一电极板和第二电极板、位于第一电极板和衬底之间的第一介质层、及位于第二电极板和第一电极板之间的第二介质层，第二电极板位于第一电极板上方，所述第二电极板包括第二主体部及自第二主体部向外延伸的第二延伸部，所述第二延伸部沿远离第一电极板的方向向外弯曲设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司 隔离电容及其制备方法

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