申请/专利权人：思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司

申请日：2020-11-25

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397478A

主分类号：H01L23/522(20060101)

分类号：H01L23/522(20060101);H01L49/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.09#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明揭示了一种隔离电容及其制备方法，所述隔离电容包括衬底、电介质层、P型外延层、第一电极板和第二电极板、第一介质层和第二介质层，所述P型外延层上形成有封闭的第一深槽隔离区及第二深槽隔离区，第一深槽隔离区位于第二深槽隔离区内部，P型外延层包括位于第一深槽隔离区内部的第一外延区及位于第一深槽隔离区和第二深槽隔离区之间的第二外延区，所述第一外延区上方形成有浅槽隔离区，所述第一电极板和第二电极板位于第一外延区的上方区域。本发明的隔离电容在电极板下方区域通过深槽隔离和浅槽隔离形成密闭的P型外延区域，该区域掺杂浓度较低，在高电压下产生宽耗尽层，从而形成容值很小的耗尽层电容，和其他寄生电容一起串联，进而降低了电极板到衬底之间的整体寄生电容。

主权项：1.一种隔离电容，其特征在于，所述隔离电容包括衬底、位于衬底上的电介质层、位于电介质层上的P型外延层、位于P型外延层上的第一电极板和第二电极板、位于P型外延层和第一电极板之间的第一介质层、及位于第一电极板和第二电极板之间的第二介质层，所述P型外延层上形成有封闭的第一深槽隔离区及第二深槽隔离区，第一深槽隔离区位于第二深槽隔离区内部，P型外延层包括位于第一深槽隔离区内部的第一外延区及位于第一深槽隔离区和第二深槽隔离区之间的第二外延区，所述第一外延区上方形成有浅槽隔离区，所述第一电极板和第二电极板位于第一外延区的上方区域。

全文数据：

权利要求：

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