申请/专利权人：成都海光微电子技术有限公司

申请日：2020-11-27

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397121A

主分类号：G11C11/408(20060101)

分类号：G11C11/408(20060101);G11C11/409(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.19#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本申请提供一种存储设备、存储器及数据处理方法，包括多个DRAM，每个DRAM均包括：第一DQS收发电路、ID提取模块以及模式寄存器组；模式寄存器组用于在接收第一MPC命令后，将编程状态模式寄存器的寄存器状态位由0置位为1；在接收第二MPC命令后，将上述的寄存器状态位由1置位为0；第一DQS收发电路用于在寄存器状态位由0置位为1时，调整为输入状态，在接收到DQS差分时钟信号后，将DQS差分时钟信号转为单端时钟信号，并发送给ID提取模块；ID提取模块用于对第一DQS收发电路发送的单端时钟信号进行计数，并根据计数结果生成ID提取模块对应的DRAM的ID。可以在同一rank下的多个DRAM同时执行上述动作，从而实现多个DRAM并行确定各自的ID，节约了时间，提高了效率。

主权项：1.一种存储设备，其特征在于，所述存储设备包括多个动态随机存取存储器DRAM，每个所述DRAM均包括：模式寄存器组、第一双向数据控制引脚DQS收发电路以及身份标识ID提取模块；所述模式寄存器组用于在接收内存控制器发出的表征令DRAM进入单DRAM寻址地址枚举编程模式的第一多用途控制MPC命令后，将编程状态模式寄存器的寄存器状态位由0置位为1；在接收所述内存控制器发出的表征令DRAM退出单DRAM寻址地址枚举编程模式的第二MPC命令后，将所述编程状态模式寄存器的寄存器状态位由1置位为0；第一DQS收发电路用于在所述编程状态模式寄存器的寄存器状态位由0置位为1时，将自身状态调整为能够接收所述内存控制器发送的DQS差分时钟信号的输入状态，并在接收到所述DQS差分时钟信号后，将所述DQS差分时钟信号转为单端时钟信号，并将所述单端时钟信号发送给所述ID提取模块；所述ID提取模块用于在所述编程状态模式寄存器的寄存器状态位由0置位为1到由1置位为0的时间段内，对所述第一DQS收发电路发送的单端时钟信号进行计数，并根据计数结果生成所述ID提取模块对应的DRAM的ID。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都海光微电子技术有限公司 存储设备、存储器及数据处理方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD