申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2017-02-09

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN106647163B

主分类号：G03F1/44(20120101)

分类号：G03F1/44(20120101);G03F7/20(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2023.01.31#未缴年费专利权终止;2017.06.06#实质审查的生效;2017.05.10#公开

摘要：本发明公开一种光刻参数调整方法及装置、掩膜板，属于光刻技术领域。该方法包括：通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，光刻胶图形包括光刻检测图形；根据光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整；在需要对光刻参数进行调整时，对光刻参数进行调整。本发明解决了光刻参数的可靠性较低的问题，提高了光刻参数的可靠性。本发明用于光刻参数调整。

主权项：1.一种光刻参数调整方法，其特征在于，所述方法包括：通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，所述光刻胶图形包括光刻检测图形，所述光刻检测图形包括多个检测标记图形，所述多个检测标记图形在多个曝光时隙内形成，所述光刻工艺包括涂覆工艺和曝光工艺；判断所述光刻检测图形的厚度分布是否均匀；若所述光刻检测图形的厚度分布不均匀，则确定需要对所述涂覆工艺的涂覆参数进行调整；若所述光刻检测图形的厚度分布均匀，通过比较所述第一基板上不同曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像，判断是否需要对所述曝光工艺的曝光参数进行调整；在需要对光刻参数进行调整时，对所述光刻参数进行调整，所述光刻参数包括所述涂覆参数和所述曝光参数，所述曝光参数包括曝光聚焦；其中，若所述多个检测标记图形中厚度相等的检测标记图形的个数大于预设阈值，则确定所述光刻检测图形的厚度分布均匀；若所述多个检测标记图形中厚度相等的检测标记图形的个数不大于所述预设阈值，则确定所述光刻检测图形的厚度分布不均匀；若存在一个曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像与其他几个曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像不同，则确定需要对所述曝光参数进行调整，若所有的曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像相同，则确定不需要对所述曝光参数进行调整。

全文数据：光刻参数调整方法及装置、掩膜板技术领域[0001]本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种光刻参数调整方法及装置、掩膜板。背景技术[0002]显示装置通常包括对盒成形的阵列基板和彩膜基板，以及充填在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。光刻工艺是阵列基板和或彩膜基板制备过程中的关键工艺，其能够通过光刻设备将掩膜板上的图形英文=Pattern转移到阵列基板和或彩膜基板上。其中，光刻工艺通常包括光刻胶涂覆、曝光和显影，相应的，光刻设备包括涂覆设备、曝光设备和显影设备。其中，为了保证光刻工艺的均匀性例如光刻胶厚度的均匀性、曝光的均匀性等），通常需要对光刻工艺的光刻参数进行适应性调整。[0003]相关技术中，工作人员可以对光刻设备进行周期性维护（英文=PeriodicMaintenance;简称:PM或者验证试验，在PM或者验证试验的过程中，工作人员可以对光刻设备进行检查，根据检查结果判断是否需要对光刻参数进行调整，并基于判断结果对光刻参数进行调整。[0004]在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：[0005]目前，光刻参数的调整只在PM或验证试验的过程中进行，由于PM或验证试验的周期较长，导致难以根据实际需要及时对光刻参数进行调整，因此，光刻参数的可靠性较低。发明内容[0006]为了解决光刻参数的可靠性较低的问题，本发明提供一种光刻参数调整方法及装置、掩膜板。所述技术方案如下：[0007]第一方面，提供一种光刻参数调整方法，所述方法包括：[0008]通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，所述光刻胶图形包括光刻检测图形；[0009]根据所述光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整；[0010]在需要对所述光刻参数进行调整时，对所述光刻参数进行调整。[0011]可选地，所述光刻工艺包括涂覆工艺和曝光工艺，所述光刻参数包括涂覆参数和曝光参数，所述根据所述光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整，包括：[0012]判断所述光刻检测图形的厚度分布是否均匀；[0013]若所述光刻检测图形的厚度分布不均匀，则确定需要对涂覆工艺的涂覆参数进行调整；[0014]若所述光刻检测图形的厚度分布均匀，则根据所述光刻检测图形，判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0015]可选地，所述光刻检测图形包括:多个检测标记图形，所述判断所述光刻检测图形的厚度分布是否均匀，包括：[0016]确定所述多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度；[0017]判断所述多个检测标记图形的厚度是否相等；[0018]若所述多个检测标记图形的厚度相等，则确定所述光刻检测图形的厚度分布均匀；[0019]若所述多个检测标记图形中存在至少两个检测标记图形的厚度不相等，则确定所述光刻检测图形的厚度分布不均匀。[0020]可选地，所述确定所述多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度，包括：[0021]确定第一检测标记图形对应的电容，所述第一检测标记图形为所述多个检测标记图形中的任一检测标记图形；[0022]根据厚度确定公式确定所述第一检测标记图形的厚度，所述厚度确定公式为：[0023]其中，Cn表示所述第一检测标记图形对应的电容，η表示所述第一检测标记图形位于所述第一基板的第η层，S表示所述第一检测标记图形上靠近所述第一基板的一面与远离所述第一基板的一面的正对面的面积，d表示所述第一检测标记图形的厚度，C表示所述第一检测标记图形在所述第一基板上的η层图形上的对应区域的总电容，^表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第一层图形上的对应区域的电容，：2表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第二层图形上的对应区域的电容，CV1表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第η-1层图形上的对应区域的电容，ε表示介电常数。[0024]可选地，所述根据所述光刻检测图形，判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整，包括：[0025]获取所述光刻检测图形的光刻图像；[0026]判断所述光刻图像与预设光刻图像是否匹配；[0027]若所述光刻图像与所述预设光刻图像匹配，则确定不需要对曝光工艺的曝光参数进行调整；[0028]若所述光刻图像与所述预设光刻图像不匹配，则确定需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0029]可选地，所述光刻胶图形还包括光刻掩膜图形，所述光刻掩膜图形位于所述第一基板的显示区域，所述通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，包括：[0030]通过涂覆工艺在第一基板上形成光刻胶层；[0031]通过曝光工艺，采用第一掩膜板对所述光刻胶层进行曝光；[0032]通过显影工艺，对曝光后的光刻胶层进行显影得到光刻胶图形；[0033]其中，所述第一掩膜板包括:掩膜图形区域和检测图形区域，所述掩膜图形区域设置有掩膜图形，所述检测图形区域设置有检测图形，所述光刻掩膜图形与所述掩膜图形对应，所述光刻检测图形与所述检测图形对应。[0034]可选地，所述光刻检测图形位于所述第一基板的非显示区域。[0035]第二方面，提供一种光刻参数调整装置，所述装置包括：[0036]光刻模块，用于通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，所述光刻胶图形包括光刻检测图形；[0037]判断模块，用于根据所述光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整；[0038]调整模块，用于在需要对所述光刻参数进行调整时，对所述光刻参数进行调整。[0039]可选地，所述光刻工艺包括涂覆工艺和曝光工艺，所述光刻参数包括涂覆参数和曝光参数，所述判断模块，包括：[0040]第一判断子模块，用于判断所述光刻检测图形的厚度分布是否均匀；[0041]确定子模块，用于在所述光刻检测图形的厚度分布不均匀时，确定需要对涂覆工艺的涂覆参数进行调整；[0042]第二判断子模块，用于在所述光刻检测图形的厚度分布均匀时，根据所述光刻检测图形，判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0043]可选地，所述光刻检测图形包括:多个检测标记图形，所述第一判断子模块，包括：[0044]第一确定单元，用于确定所述多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度；[0045]判断单元，用于判断所述多个检测标记图形的厚度是否相等；[0046]第二确定单元，用于在所述多个检测标记图形的厚度相等时，确定所述光刻检测图形的厚度分布均匀；[0047]第三确定单元，用于在所述多个检测标记图形中存在至少两个检测标记图形的厚度不相等时，确定所述光刻检测图形的厚度分布不均匀。[0048]可选地，所述第一确定单元，用于：[0049]确定第一检测标记图形对应的电容，所述第一检测标记图形为所述多个检测标记图形中的任一检测标记图形；[0050]根据厚度确定公式确定所述第一检测标记图形的厚度，所述厚度确定公式为：[0051]其中，Cn表示所述第一检测标记图形对应的电容，η表示所述第一检测标记图形位于所述第一基板的第η层，S表示所述第一检测标记图形上靠近所述第一基板的一面与远离所述第一基板的一面的正对面的面积，d表示所述第一检测标记图形的厚度，C表示所述第一检测标记图形在所述第一基板上的η层图形上的对应区域的总电容，^表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第一层图形上的对应区域的电容，：2表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第二层图形上的对应区域的电容，CV1表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第η-1层图形上的对应区域的电容，ε表示介电常数。[0052]可选地，所述第二判断子模块，用于：[0053]获取所述光刻检测图形的光刻图像；[0054]判断所述光刻图像与预设光刻图像是否匹配；[0055]若所述光刻图像与所述预设光刻图像匹配，则确定不需要对曝光工艺的曝光参数进行调整；[0056]若所述光刻图像与所述预设光刻图像不匹配，则确定需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0057]可选地，所述光刻胶图形还包括光刻掩膜图形，所述光刻掩膜图形位于所述第一基板的显示区域，所述光刻模块，用于：[0058]通过涂覆工艺在第一基板上形成光刻胶层；[0059]通过曝光工艺，采用第一掩膜板对所述光刻胶层进行曝光；[0060]通过显影工艺，对曝光后的光刻胶层进行显影得到光刻胶图形；[0061]其中，所述第一掩膜板包括:掩膜图形区域和检测图形区域，所述掩膜图形区域设置有掩膜图形，所述检测图形区域设置有检测图形，所述光刻掩膜图形与所述掩膜图形对应，所述光刻检测图形与所述检测图形对应。[0062]可选地，所述光刻检测图形位于所述第一基板的非显示区域。[0063]第三方面，提供一种掩膜板，所述掩膜板包括:检测图形区域，所述检测图形区域设置有检测图形，所述检测图形用于在第一基板上形成光刻检测图形。[0064]可选地，所述检测图形用于在第一基板上的非显示区域上形成光刻检测图形。[0065]可选地，所述掩膜板还包括:掩膜图形区域，所述检测图形区域位于所述掩膜图形区域的周边，所述掩膜图形区域设置有掩膜图形。[0066]可选地，所述检测图形包括多个检测标记图形，所述多个检测标记图形均匀分布在所述检测图形区域上。[0067]可选地，所述掩膜板的板面和所述掩膜图形区域均为矩形结构，所述检测图形区域为环形结构，且所述检测图形区域的内环和外环都呈矩形，所述检测图形区域围绕在所述掩膜图形区域的周围，且所述检测图形区域的内环的结构与所述掩膜图形区域的结构全等；[0068]所述多个检测标记图形包括六个检测标记图形，所述六个检测标记图形中的四个检测标记图形分布在所述掩膜图形区域的四个角在所述检测图形区域的对应位置上，另外两个检测标记图形分布在所述掩膜图形区域的两条长边的中点在所述检测图形区域的对应位置上。[0069]本发明提供的技术方案带来的有益效果是：[0070]本发明提供的光刻参数调整方法及装置、掩膜板，由于能够在基板的制造过程中根据光刻检测图形判断是否需要对光刻参数进行调整，并根据判断结果对光刻参数进行调整，因此，能够及时对光刻参数进行调整，解决了相关技术中难以根据实际需要及时对光刻参数进行调整，光刻参数的可靠性较低的问题，提高了光刻参数的可靠性。[0071]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。附图说明[0072]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0073]图1是本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；[0074]图2是本发明实施例提供的一种光刻参数调整方法的方法流程图；[0075]图3是本发明实施例提供的另一种光刻参数调整方法的方法流程图；[0076]图4是本发明实施例提供的一种采用第一掩膜板对光刻胶层进行曝光的示意图；[0077]图5是本发明实施例提供的一种判断是否需要对光刻参数进行调整的方法流程图；[0078]图6是本发明实施例提供的一种判断光刻检测图形的厚度分布是否均匀的方法流程图；[0079]图7是本发明实施例提供的一种确定检测标记图形的厚度的方法流程图；[0080]图8是本发明实施例提供的一种判断是否需要对曝光参数进行调整的方法流程图；[0081]图9是本发明实施例提供的一种检测标记图形的光刻图像的示意图；[0082]图10是本发明实施例提供的一种光刻参数调整装置的框图；[0083]图11是本发明实施例提供的一种判断模块的框图；[0084]图12是本发明实施例提供的一种第一判断子模块的框图。[0085]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。具体实施方式[0086]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。[0087]请参考图1，其示出了本发明实施例提供的一种掩膜板00的结构示意图，参见图1，该掩膜板〇〇包括:检测图形区域001，检测图形区域001设置有检测图形002,检测图形002用于在第一基板上形成光刻检测图形（图1中未示出）。其中，该第一基板可以为衬底基板，也可以为形成有一定膜层或图形的基板。[0088]可选地，检测图形002用于在第一基板的非显示区域形成光刻检测图形。如图1所示，检测图形002包括多个检测标记图形0021，多个检测标记图形0021均匀分布在检测图形区域001上。[0089]可选地，该掩膜板00还包括:掩膜图形区域003,检测图形区域001位于掩膜图形区域003的周边，掩膜图形区域003设置有掩膜图形图1中未示出）。[0090]可选地，如图1所示，掩膜板00的板面和掩膜图形区域003均为矩形结构，检测图形区域001为环形结构，且检测图形区域001的内环和外环都呈矩形，检测图形区域001围绕在掩膜图形区域的周围，且检测图形区域001的内环的结构与掩膜图形区域003的结构全等；多个检测标记图形0021包括六个检测标记图形，六个检测标记图形0021中的四个检测标记图形0021分布在掩膜图形区域003的四个角在检测图形区域001的对应位置上，另外两个检测标记图形0021分布在掩膜图形区域003的两条长边的中点在检测图形区域001的对应位置上。[0091]在本发明实施例中，掩膜板00可以包括掩膜板本体，掩膜板本体可以为不包括任何图形的矩形板，可以通过两次构图工艺对掩膜板本体进行处理得到掩膜板〇〇。具体地，可以将掩膜板本体的板面划分为掩膜图形区域和检测图形区域，在第一次构图工艺中，可以在掩膜图形区域形成掩膜图形，在第二次构图工艺中，可以在检测图形区域形成检测图形，从而得到掩膜板00。其中，每次构图工艺可以包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，因此，在第一次构图工艺中，可以先在掩膜板本体的板面上涂覆一层具有一定厚度的光刻胶得到光刻胶层，采用具有相应掩膜图形的掩膜板对光刻胶层进行曝光，使光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，完全曝光区对应掩膜图形区域中待形成的掩膜图形的开口区域，非曝光区对应掩膜图形区域中待形成的掩膜图形的开口区域的外围区域和检测图形区域，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对掩膜板本体上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，得到掩膜图形区域中待形成的掩膜图形的开口区域，之后剥离非曝光区的光刻胶，在掩膜图形区域上形成掩膜图形;在第二次构图工艺中，可以先在形成有掩膜图形的掩膜板本体的板面上涂覆一层具有一定厚度的光刻胶得到光刻胶层，采用具有相应检测图形的掩膜板对光刻胶层进行曝光，使光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，完全曝光区对应检测图形区域中待形成的检测图形的开口区域，非曝光区对应检测图形区域中待形成的检测图形的开口区域的外围区域和掩膜图形区域，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对掩膜板本体上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，得到检测图形区域中待形成的检测图形的开口区域，之后剥离非曝光区的光刻胶，在检测图形区域上形成检测图形。形成掩膜图形和检测图形后，就可以得到掩膜板00。[0092]需要说明的是，本发明实施例是以采用正性光刻胶形成掩膜板00为例进行说明的，实际应用中，还可以采用负性光刻胶形成掩膜板00,本发明实施例对此不做限定。[0093]综上所述，本发明实施例提供的掩膜板，由于掩膜板包括检测图形，因此，该掩膜板能够在基板的制造过程中，在基板上形成光刻检测图形，从而使得在基板的制造过程中，能够根据光刻检测图形判断是否需要对光刻参数进行调整，并根据判断结果对光刻参数进行调整，因此，能够及时对光刻参数进行调整，解决了相关技术中难以根据实际需要及时对光刻参数进行调整，光刻参数的可靠性较低的问题，提高了光刻参数的可靠性。[0094]请参考图2,其示出了本发明实施例提供的一种光刻参数调整方法的方法流程图，该光刻参数调整方法用于调整光刻工艺的光刻参数，且该光刻参数调整方法可以由光刻参数调整装置来执行，参见图2，该方法包括：[0095]步骤201、通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，光刻胶图形包括光刻检测图形。[0096]步骤202、根据光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整。[0097]步骤203、在需要对光刻参数进行调整时，对光刻参数进行调整。[0098]综上所述，本发明实施例提供的光刻参数调整方法，由于能够在基板的制造过程中根据光刻检测图形判断是否需要对光刻参数进行调整，并根据判断结果对光刻参数进行调整，因此，能够及时对光刻参数进行调整，解决了相关技术中难以根据实际需要及时对光刻参数进行调整，光刻参数的可靠性较低的问题，提高了光刻参数的可靠性。[0099]可选地，光刻工艺包括涂覆工艺和曝光工艺，光刻参数包括涂覆参数和曝光参数，根据光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整，包括：[0100]判断光刻检测图形的厚度分布是否均匀；[0101]若光刻检测图形的厚度分布不均匀，则确定需要对涂覆工艺的涂覆参数进行调整；[0102]若光刻检测图形的厚度分布均匀，则根据光刻检测图形，判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0103]可选地，光刻检测图形包括:多个检测标记图形，判断光刻检测图形的厚度分布是否均匀，包括：[0104]确定多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度；[0105]判断多个检测标记图形的厚度是否相等；[0106]若多个检测标记图形的厚度相等，则确定光刻检测图形的厚度分布均匀；[0107]若多个检测标记图形中存在至少两个检测标记图形的厚度不相等，则确定光刻检测图形的厚度分布不均匀。[0108]可选地，确定多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度，包括：[0109]确定第一检测标记图形对应的电容，第一检测标记图形为多个检测标记图形中的任一检测标记图形；[0110]根据厚度确定公式确定第一检测标记图形的厚度，厚度确定公式为：[0112]其中，匕表示第一检测标记图形对应的电容，η表示第一检测标记图形位于第一基板的第η层，S表示第一检测标记图形上靠近第一基板的一面与远离第一基板的一面的正对面的面积，d表示第一检测标记图形的厚度，C表示第一检测标记图形在第一基板上的η层图形上的对应区域的总电容，C1表示第一检测标记图形在第一基板的第一层图形上的对应区域的电容，：2表示第一检测标记图形在第一基板的第二层图形上的对应区域的电容，CV1表示第一检测标记图形在第一基板的第η-1层图形上的对应区域的电容，ε表示介电常数。[0113]可选地，根据光刻检测图形，判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整，包括：[0114]获取光刻检测图形的光刻图像；[0115]判断光刻图像与预设光刻图像是否匹配；[0116]若光刻图像与预设光刻图像匹配，则确定不需要对曝光工艺的曝光参数进行调整；[0117]若光刻图像与预设光刻图像不匹配，则确定需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0118]可选地，光刻胶图形还包括光刻掩膜图形，光刻掩膜图形位于第一基板的显示区域，通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，包括：[0119]通过涂覆工艺在第一基板上形成光刻胶层；[0120]通过曝光工艺，采用第一掩膜板对光刻胶层进行曝光；[0121]通过显影工艺，对曝光后的光刻胶层进行显影得到光刻胶图形；[0122]其中，第一掩膜板包括:掩膜图形区域和检测图形区域，掩膜图形区域设置有掩膜图形，检测图形区域设置有检测图形，光刻掩膜图形与掩膜图形对应，光刻检测图形与检测图形对应。[0123]可选地，光刻检测图形位于第一基板的非显示区域。[0124]上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再--赘述。[0125]综上所述，本发明实施例提供的光刻参数调整方法，由于能够在基板的制造过程中根据光刻检测图形判断是否需要对光刻参数进行调整，并根据判断结果对光刻参数进行调整，因此，能够及时对光刻参数进行调整，解决了相关技术中难以根据实际需要及时对光刻参数进行调整，光刻参数的可靠性较低的问题，提高了光刻参数的可靠性。[0126]请参考图3,其示出了本发明实施例提供的另一种光刻参数调整方法的方法流程图，该光刻参数调整方法用于调整光刻工艺的光刻参数，且该光刻参数调整方法可以由光刻参数调整装置来执行，参见图3，该方法包括：[0127]步骤301、通过涂覆工艺在第一基板上形成光刻胶层。执行步骤302。[0128]其中，第一基板可以为衬底基板，也可以为形成有一定膜层或图形的基板，衬底基板可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。通过涂覆工艺在第一基板上形成光刻胶层的过程可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。[0129]步骤302、通过曝光工艺，采用第一掩膜板对光刻胶层进行曝光。执行步骤303。[0130]其中，第一掩膜板可以为图1所示的掩膜板00,掩膜板00包括:掩膜图形区域003和检测图形区域001，掩膜图形区域003设置有掩膜图形（图1中未示出），检测图形区域001设置有检测图形002,且检测图形002具体可以包括多个检测标记图形0021，多个检测标记图形0021均匀分布在检测图形区域001上。其中，关于第一掩膜板的详细描述可以参考图1的相关描述，这里不再赘述。[0131]曝光工艺中采用的主要设备为曝光机，曝光机是阵列基板和彩膜基板制备过程中的一种常用设备，曝光机可以通过曝光将掩膜板上的图形转移到基板上。在本发明实施例中，可以通过曝光工艺采用第一掩膜板掩膜板00对光刻胶层进行曝光，在具体实施时，如图4所示，可以将掩膜板00固定在曝光机（图4中未示出）上，将形成有光刻胶层的第一基板01设置在掩膜板〇〇下方，并将第一基板01与掩膜板〇〇精准对位，将光源02设置在掩膜板00上方，然后对光刻胶层进行曝光。其中，如图4所示，第一基板的面积大于掩膜板00的面积，因此，可以在第一曝光时隙（英文：shot采用如图4所示的方位对光刻胶层进行曝光，在第二曝光时隙可以移动第一基板01使掩膜板00位于第一基板01的另一区域的上方对光刻胶层的另一区域进行曝光，在第三曝光时隙再次移动第一基板01并进行曝光，直至对光刻胶层的所有区域完成曝光，参见图4可知，可以在四个曝光时隙内通过四次曝光来对光刻胶层的所有区域完成曝光。具体的曝光过程可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。[0132]步骤303、通过显影工艺，对曝光后的光刻胶层进行显影得到光刻胶图形，光刻胶图形包括光刻检测图形和光刻掩膜图形。执行步骤304。[0133]在对光刻胶层进行曝光之后，可以通过显影工艺对曝光后的光刻胶层进行显影，例如，可以采用显影液对曝光后的光刻胶层进行显影，具体的显影过程可以参考相关技术。在对曝光后的光刻胶层进行显影之后，可以得到光刻胶图形，光刻胶图形可以包括光刻检测图形和光刻掩膜图形，光刻检测图形位于第一基板的非显示区域，光刻掩膜图形位于第一基板的显示区域。示例地，本发明实施例借助图4所示的曝光示意图来对光刻胶图形进行说明，参见图4,显影之后可以得到光刻胶图形，光刻胶图形可以包括光刻检测图形Oll和光刻掩膜图形（图4中未示出），光刻掩膜图形可以与掩膜板00上的掩膜图形对应，光刻检测图形011可以与掩膜板00上的检测图形002对应，且光刻检测图形011可以包括多个检测标记图形0111。具体地，如图4所示，光刻检测图形011包括24个检测标记图形0111，该24个检测标记图形0111中包括每个曝光时隙对应的6个检测标记图形。[0134]步骤304、根据光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整。若需要对光刻工艺的光刻参数进行调整，则执行步骤305;若不需要对光刻工艺的光刻参数进行调整，则执行步骤306。[0135]在本发明实施例中，光刻工艺可以包括涂覆工艺和曝光工艺，相应的，光刻参数可以包括涂覆参数和曝光参数，其中，涂覆参数例如涂覆厚度，曝光参数例如曝光聚焦、曝光量、曝光速度等。示例地，请参考图5,其示出了本发明实施例提供的一种根据光刻检测图形判断是否需要对光刻参数进行调整的方法流程图，参见图5,该方法包括：[0136]子步骤3041、判断光刻检测图形的厚度分布是否均匀；若光刻检测图形的厚度分布不均匀，则执行子步骤3042;若光刻检测图形的厚度分布均匀，则执行子步骤3043。[0137]在本发明实施例中，光刻检测图形包括多个检测标记图形，因此，可以根据多个检测标记图形判断光刻检测图形的厚度分布是否均匀。示例地，请参考图6,其示出了本发明实施例提供的一种判断光刻检测图形的厚度分布是否均匀的方法流程图，参见图6,该方法包括：[0138]子步骤30411、确定多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度。执行子步骤30412。[0139]示例地，请参考图7,其示出了本发明实施例提供的一种确定每个检测标记图形的厚度的方法流程图，参见图7,该方法可以包括：[0140]子步骤A、确定第一检测标记图形对应的电容，第一检测标记图形为多个检测标记图形中的任一检测标记图形。执行子步骤B。[0141]光刻参数调整装置可以确定第一检测标记图形对应的电容，第一检测标记图形为多个检测标记图形中的任一检测标记图形。例如，第一检测标记图形为24个检测标记图形中的任一检测标记图形。[0142]可选地，光刻参数调整装置可以采用接触法或非接触法测量第一检测标记图形对应的电容。在采用接触法测量第一检测标记图形对应的电容时，可以在第一检测标记图形的两侧设置电极，然后向两个电极施加电压并确定两个电极之间的电压差，根据电压差计算得到相应的电容。其中，采用接触法或非接触法测量第一检测标记图形对应的电容的具体的实现过程可以参考相关技术，这里不再赘述。[0143]子步骤B、根据厚度确定公式确定第一检测标记图形的厚度。[0144]光刻参数调整装置确定第一检测标记图形对应的电容后，可以根据厚度确定公式确定第一检测标记图形的厚度，该第一检测标记图形的厚度也即是该第一检测标记图形对应的光刻胶的厚度。在本发明实施例中，厚度确定公式可以为：，其中，Cn表示第一检测标记图形对应的电容，η表示第一检测标记图形位于第一基板的第η层，S表示第一检测标记图形上靠近第一基板的一面与远离第一基板的一面的正对面的面积，d表示第一检测标记图形的厚度，C表示第一检测标记图形在第一基板上的η层图形上的对应区域的总电容，C1表示第一检测标记图形在第一基板的第一层图形上的对应区域的电容，&表示第一检测标记图形在第一基板的第二层图形上的对应区域的电容，CV1表示第一检测标记图形在第一基板的第η-1层图形上的对应区域的电容，ε表示介电常数。[0145]其中，掩膜板上的所有检测标记图形的结构可以为圆柱体，S可以等于掩膜板上的检测标记图形的底面面积，在制造掩膜板的过程中可以得到S，因此，在该步骤B中S可以是已知的；在基板的制造过程中，光刻参数调整装置可以采用接触法或非接触法测量得到第一检测标记图形在第一基板的第一层图形上的对应区域的电容C1，采用接触法或非接触法测量得到第一检测标记图形在第一基板的第一层图形和第二层图形上的对应区域的总电容，该总电容可以表示为&+：2，依次类推，采用接触法或非接触法测量得到第一检测标记图形在第一基板的第一层图形至第η-1层图形上的对应区域的总电容，该总电容可以表示为CdC2+...V1，采用接触法或非接触法测量得到第一检测标记图形在第一基板的第一层图形至第η层图形上的对应区域的总电容，该总电容可以表示为C，则C=&+C2+...Cn-i+Cn等，[0146]子步骤30412、判断多个检测标记图形的厚度是否相等。若多个检测标记图形的厚度相等，则执行子步骤30413;若多个检测标记图形中存在至少两个检测标记图形的厚度不相等，则执行子步骤30414。[0147]光刻参数调整装置确定多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度后，可以判断多个检测标记图形的厚度是否相等。可选地，光刻参数调整装置可以将每个检测标记图形的厚度与其他所有的检测标记图形的厚度进行比较，若该每个检测标记图形的厚度与其他所有的检测标记图形的厚度相等，则光刻参数调整装置确定多个检测标记图形的厚度相等，若多个检测标记图形中存在至少两个检测标记图形的厚度不相等，则光刻参数调整装置确定多个检测标记图形的厚度不相等。示例地，假设24个检测标记图形的厚度分别为m..d24,则光刻参数调整装置可以将Ci1分别与d2、d3...d2冲的每个厚度分别进行比较，若di=d2=d3...=d24,则光刻参数调整装置确定多个检测标记图形的厚度相等，若di、d2、d3...d24中存在至少两个检测标记图形的厚度例如12和13不相等，则光刻参数调整装置确定多个检测标记图形的厚度不相等。[0148]子步骤30413、确定光刻检测图形的厚度分布均匀。[0M9]若在子步骤30412中光刻参数调整装置确定多个检测标记图形的厚度相等，则光刻参数调整装置可以确定光刻检测图形的厚度分布均匀。例如，当di=d2=d3...=d24时，光刻参数调整装置确定光刻检测图形的厚度分布均匀。[0150]子步骤30414、确定光刻检测图形的厚度分布不均匀。[0151]若在子步骤30413中光刻参数调整装置确定多个检测标记图形中存在至少两个检测标记图形的厚度不相等，则光刻参数调整装置可以确定光刻检测图形的厚度分布不均匀。例如，当12和13不相等时，光刻参数调整装置确定光刻检测图形的厚度分布不均匀。[0152]需要说明的是，实际应用中，光刻检测图形中的检测标记图形的数量较大，由于在形成检测标记图形的过程中存在一定的操作误差，并且在计算检测标记图形的厚度的过程中也会存在一定的误差，因此，可能会有个别的检测标记图形的厚度与其他检测标记图形的厚度不相等，此时，光刻参数调整装置可以判断厚度相等的检测标记图形的个数是否大于预设阈值，若厚度相等的检测标记图形的个数大于预设阈值，则光刻参数调整装置确定光刻检测图形的厚度分布均匀，若厚度相等的检测标记图形的个数不大于预设阈值，则光刻参数调整装置确定光刻检测图形的厚度分布不均匀，本发明实施例对此不作限定。[0153]子步骤3042、确定需要对涂覆工艺的涂覆参数进行调整。[0154]若在步骤3041中光刻参数调整装置确定光刻检测图形的厚度分布不均匀，则光刻参数调整装置确定需要对涂覆工艺的涂覆参数进行调整。比如，当办和山不相等时，光刻参数调整装置确定需要对涂覆参数进行调整。[0155]子步骤3043、根据光刻检测图形，判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0156]若在步骤3041中光刻参数调整装置确定光刻检测图形的厚度分布均匀，则光刻参数调整装置可以根据光刻检测图形判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。示例地，请参考图8,其示出了本发明实施例提供的一种判断是否需要对曝光参数进行调整的方法流程图，参见图8，该方法包括：[0157]子步骤30431、获取光刻检测图形的光刻图像。执行子步骤30432。[0158]在本发明实施例中，光刻参数调整装置可以具有图像获取组件，光刻参数调整装置可以通过图像获取组件获取光刻检测图形的光刻图像。其中，图像获取组件可以为摄像头，光刻参数调整装置可以通过摄像头对光刻检测图形进行拍摄得到光刻检测图形的光刻图像。可选地，光刻参数调整装置可以获取每个曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像，也可以分别获取每个检测标记图形的光刻图像，本发明实施例对此不作限定。本发明实施例以光刻参数调整装置分别获取每个检测标记图形的光刻图像为例进行说明。[0159]子步骤30432、判断光刻图像与预设光刻图像是否匹配。若光刻图像与预设光刻图像匹配，则执行子步骤30433;若光刻图像与预设光刻图像不匹配，则执行子步骤30434。[0160]其中，光刻参数调整装置可以存储预设光刻图像，该预设光刻图像可以是预设的光刻检测图形的光刻图像，也可以是预设的检测标记图形的光刻图像，该预设的光刻检测图形可以是曝光时隙对应的预设的光刻检测图形，本发明实施例对此不作限定。[0161]在本发明实施例中，当预设光刻图像是预设的光刻检测图形的图像时，在获取到每个曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像后，光刻参数调整装置可以将每个曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像与预设光刻图像进行比较，来判断光刻检测图形的光刻图像与预设光刻图像是否匹配；当预设光刻图像是预设的检测标记图形的图像时，在获取到每个检测标记图形的光刻图像后，光刻参数调整装置可以将每个检测标记图形的光刻图像与预设光刻图像进行比较，来判断每个检测标记图形的光刻图像与预设光刻图像是否匹配。由于本发明实施例以获取每个检测标记图形的光刻图像为例进行说明，因此，光刻参数调整装置存储的预设光刻图像是预设的检测标记图形的光刻图像，光刻参数调整装置将每个光刻检测图形的光刻图像与预设光刻图像进行比较来判断每个光刻检测图形的光刻图像与预设光刻图像是否匹配。[0162]示例地，如图9所示，采用第一掩膜板图9中未示出）对光刻胶层（图9中未示出）进行曝光、显影之后，第一掩膜板上的检测图形（图9中未示出）转移到光刻胶层（图9中未示出）上，在光刻胶层上形成光刻检测图形（图9中未示出），且检测图形中的检测标记图形910对应光刻检测图形中的检测标记图形。示例地，本发明实施例假设经过曝光、显影之后得到的检测标记图形为检测标记图形920,则光刻参数调整装置可以获取检测标记图形920的光刻图像，然后将检测标记图形920的光刻图像与预设光刻图像900进行比较来判断检测标记图形920的光刻图像与预设光刻图像900是否匹配，由图9可知，检测标记图形920的图像与预设光刻图像900相同，因此，检测标记图形920的图像与预设光刻图像900匹配;再示例地，本发明实施例假设经过曝光、显影之后得到的检测标记图形为检测标记图形930,则光刻参数调整装置可以获取检测标记图形930的光刻图像，然后将检测标记图形9230的光刻图像与预设光刻图像900进行比较来判断检测标记图形930的光刻图像与预设光刻图像900是否匹配，由图9可知，检测标记图形930的图像与预设光刻图像900不相同，因此，检测标记图形930的图像与预设光刻图像900不匹配;又示例地，本发明实施例假设经过曝光、显影之后得到的检测标记图形为检测标记图形940,则光刻参数调整装置可以获取检测标记图形940的光刻图像，然后将检测标记图形940的光刻图像与预设光刻图像900进行比较来判断检测标记图形940的光刻图像与预设光刻图像900是否匹配，由图9可知，检测标记图形940的图像与预设光刻图像900不相同，因此，检测标记图形940的图像与预设光刻图像900不匹配。参见图9可知，检测标记图形930和检测标记图形940均与预设光刻图像900不同，且与预设光刻图像900相比，检测标记图形940发生了较大的形变，而检测标记图形930的形变较小，因此，可以确定检测标记图形940对应的曝光量或曝光速度和检测标记图形930对应的曝光量或曝光速度）均较大，且检测标记图形940对应的曝光量或曝光速度大于检测标记图形930对应的曝光量或曝光速度），需要对曝光量或曝光速度进行调整。[0163]可选地，在本发明实施例中，光刻参数调整装置还可以将不同曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像进行比较来判断是否需要对曝光聚焦进行调整，若存在一个曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像与其他几个曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像不同，则光刻参数调整装置确定需要对曝光聚焦进行调整，若所有的曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像相同，则光刻参数调整装置确定不需要对曝光聚焦进行调整。示例地，光刻参数调整装置可以将第一曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像分别与第二曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像、第三曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像和第四曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像进行比较，若第一曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像与第二曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像和第四曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像均相同，但是与第三曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像不相同，则光刻参数调整装置确定需要对曝光聚焦进行调整。需要说明的是，光刻参数调整装置将不同曝光时隙对应的光刻检测图形的光刻图像进行比较时，可以获取不同曝光时隙对应的光刻检测图形中的检测标记图形的光刻图像，并判断检测标记图形的光刻图像是否相同。例如，假设检测标记图形920为第一曝光时隙对应的检测标记图形，检测标记图形930为第二曝光时隙对应的检测标记图形，则光刻参数调整装置可以判断检测标记图形920的光刻图像与检测标记图形930的光刻图像是否相同。[0164]需要说明的是，图9所示的检测标记图形910仅仅是示例性的，实际应用中，检测标记图形910的结构与图1所示实施例中的检测标记图形0021的结构可以相同，本发明实施例对此不作限定。[0165]子步骤30433、确定不需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0166]若在子步骤30422中光刻参数调整装置确定光刻图像与预设光刻图像匹配，则光刻参数调整装置确定不需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0167]子步骤30434、确定需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0168]若在子步骤30422中光刻参数调整装置确定光刻图像与预设光刻图像不匹配，则光刻参数调整装置确定需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0169]步骤305、对光刻参数进行调整。[0170]若在上述步骤304中光刻参数调整装置确定需要对光刻参数进行调整，则光刻参数调整装置对光刻参数进行调整。其中，光刻参数调整装置可以与光刻设备连接，光刻参数调整装置可以控制光刻设备对光刻参数进行调整，该光刻设备可以包括涂覆设备、曝光设备等等。或者，光刻参数调整装置可以发出提示声音提示工作人员对光刻参数进行调整，本发明实施例对此不作限定。[0171]示例地，若在步骤304中光刻参数调整装置确定需要对涂覆参数进行调整，则光刻参数调整装置控制涂覆设备对涂覆参数进行调整;若在步骤304中光刻参数调整装置确定需要对曝光参数进行调整，则光刻参数调整装置控制曝光设备对曝光参数进行调整，例如，对曝光量、曝光速度、曝光聚焦等进行调整。对光刻参数进行调整的具体实现过程可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。[0172]步骤306、不对光刻参数进行调整。[0173]若在上述步骤304中光刻参数调整装置确定不需要对光刻参数进行调整，则光刻参数调整装置不对光刻参数进行调整。[0174]综上所述，本发明实施例提供的光刻参数调整方法，由于能够在基板的制造过程中根据光刻检测图形判断是否需要对光刻参数进行调整，并根据判断结果对光刻参数进行调整，因此，能够及时对光刻参数进行调整，解决了相关技术中难以根据实际需要及时对光刻参数进行调整，光刻参数的可靠性较低的问题，提高了光刻参数的可靠性。[0175]相关技术通常在PM或者验证试验时才能对光刻参数进行调整，其无法对光刻参数进行实时监控和调整，难以保证涂覆、曝光等的均匀性，并且相关技术通常是对各部分的均匀性的测试之后调整相应的光刻参数（例如测试光刻胶的均匀性然后调整涂覆参数），涂覆、曝光的均匀性无法得到最终的反映。本发明实施例提供的光刻参数调整方法可以在基板的制造过程中实时监控光刻胶厚度的均匀性以及曝光均匀性，并对光刻参数进行实时调整，并且可以及时预警涂覆或者曝光不均匀的问题，保证了涂覆、曝光等的均匀性，提高了光刻工艺的稳定性，并且本发明实施例在涂覆、曝光、显影之后调整光刻参数，涂覆、曝光的均匀性能够得到最终的反映。[0176]本发明实施例通过在掩膜图形周边设置检测图形，经过光刻工艺后在基板形成光刻检测图形，通过接触或非接触电学测试光刻检测图形，并在测试结束后获取光刻检测图形的光刻图像，达到了实时监控光刻均匀性的技术效果。[0177]下述为本发明装置实施例，可以用于执行本发明方法实施例。对于本发明装置实施例中未披露的细节，请参照本发明方法实施例。[0178]请参考图10,其示出了本发明实施例提供的一种光刻参数调整装置1000的框图，该光刻参数调整装置1000可以用于执行图2或图3所示实施例提供的光刻参数调整方法，参见图10,该光刻参数调整装置1000可以包括但不限于：[0179]光刻模块1010,用于通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，光刻胶图形包括光刻检测图形；[0180]判断模块1020,用于根据光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整；[0181]调整模块1030,用于在需要对光刻参数进行调整时，对光刻参数进行调整。[0182]综上所述，本发明实施例提供的光刻参数调整装置，由于能够在基板的制造过程中根据光刻检测图形判断是否需要对光刻参数进行调整，并根据判断结果对光刻参数进行调整，因此，能够及时对光刻参数进行调整，解决了相关技术中难以根据实际需要及时对光刻参数进行调整，光刻参数的可靠性较低的问题，提高了光刻参数的可靠性。[0183]可选地，光刻工艺包括涂覆工艺和曝光工艺，光刻参数包括涂覆参数和曝光参数，请参考图11，其示出了本发明实施例提供的一种判断模块1020的框图，参见图11，该判断模块1020包括：[0184]第一判断子模块1021，用于判断光刻检测图形的厚度分布是否均匀；[0185]确定子模块1022,用于在光刻检测图形的厚度分布不均匀时，确定需要对涂覆工艺的涂覆参数进行调整；[0186]第二判断子模块1023,用于在光刻检测图形的厚度分布均匀时，根据光刻检测图形，判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0187]可选地，光刻检测图形包括:多个检测标记图形，请参考图12,其示出了本发明实施例提供的一种第一判断子模块1021的框图，参见图12,该第一判断子模块1021包括：[0188]第一确定单元10211，用于确定多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度；[0189]判断单元10212,用于判断多个检测标记图形的厚度是否相等；[0190]第二确定单元10213,用于在多个检测标记图形的厚度相等时，确定光刻检测图形的厚度分布均匀；[0191]第三确定单元10214,用于在多个检测标记图形中存在至少两个检测标记图形的厚度不相等时，确定光刻检测图形的厚度分布不均匀。[0192]可选地，第一确定单元10211，用于：[0193]确定第一检测标记图形对应的电容，第一检测标记图形为多个检测标记图形中的任一检测标记图形；[0194]根据厚度确定公式确定第一检测标记图形的厚度，厚度确定公式为：[0196]其中，匕表示第一检测标记图形对应的电容，η表示第一检测标记图形位于第一基板的第η层，S表示第一检测标记图形上靠近第一基板的一面与远离第一基板的一面的正对面的面积，d表示第一检测标记图形的厚度，C表示第一检测标记图形在第一基板上的η层图形上的对应区域的总电容，C1表示第一检测标记图形在第一基板的第一层图形上的对应区域的电容，：2表示第一检测标记图形在第一基板的第二层图形上的对应区域的电容，CV1表示第一检测标记图形在第一基板的第η-1层图形上的对应区域的电容，ε表示介电常数。[0197]可选地，第二判断子模块1023,用于：[0198]获取光刻检测图形的光刻图像；[0199]判断光刻图像与预设光刻图像是否匹配；[0200]若光刻图像与预设光刻图像匹配，则确定不需要对曝光工艺的曝光参数进行调整；[0201]若光刻图像与预设光刻图像不匹配，则确定需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。[0202]可选地，光刻胶图形还包括光刻掩膜图形，光刻掩膜图形位于第一基板的显示区域，光刻模块1010,用于：[0203]通过涂覆工艺在第一基板上形成光刻胶层；[0204]通过曝光工艺，采用第一掩膜板对光刻胶层进行曝光；[0205]通过显影工艺，对曝光后的光刻胶层进行显影得到光刻胶图形；[0206]其中，第一掩膜板包括:掩膜图形区域和检测图形区域，掩膜图形区域设置有掩膜图形，检测图形区域设置有检测图形，光刻掩膜图形与掩膜图形对应，光刻检测图形与检测图形对应。[0207]可选地，光刻检测图形位于第一基板的非显示区域。[0208]综上所述，本发明实施例提供的光刻参数调整装置，由于能够在基板的制造过程中根据光刻检测图形判断是否需要对光刻参数进行调整，并根据判断结果对光刻参数进行调整，因此，能够及时对光刻参数进行调整，解决了相关技术中难以根据实际需要及时对光刻参数进行调整，光刻参数的可靠性较低的问题，提高了光刻参数的可靠性。[0209]需要说明的是：上述实施例提供的光刻参数调整装置在调整光刻参数时，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将设备的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外，上述实施例提供的煤层地应力测量装置装置与方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。[0210]本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。[0211]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

权利要求：1.一种光刻参数调整方法，其特征在于，所述方法包括：通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，所述光刻胶图形包括光刻检测图形；根据所述光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整；在需要对所述光刻参数进行调整时，对所述光刻参数进行调整。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻工艺包括涂覆工艺和曝光工艺，所述光刻参数包括涂覆参数和曝光参数，所述根据所述光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整，包括：判断所述光刻检测图形的厚度分布是否均匀；若所述光刻检测图形的厚度分布不均匀，则确定需要对涂覆工艺的涂覆参数进行调整；若所述光刻检测图形的厚度分布均匀，则根据所述光刻检测图形，判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻检测图形包括：多个检测标记图形，所述判断所述光刻检测图形的厚度分布是否均匀，包括：确定所述多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度；判断所述多个检测标记图形的厚度是否相等；若所述多个检测标记图形的厚度相等，则确定所述光刻检测图形的厚度分布均匀；若所述多个检测标记图形中存在至少两个检测标记图形的厚度不相等，则确定所述光刻检测图形的厚度分布不均匀。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定所述多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度，包括：确定第一检测标记图形对应的电容，所述第一检测标记图形为所述多个检测标记图形中的任一检测标记图形；根据厚度确定公式确定所述第一检测标记图形的厚度，所述厚度确定公式为：其中，Cn表示所述第一检测标记图形对应的电容，η表示所述第一检测标记图形位于所述第一基板的第η层，S表示所述第一检测标记图形上靠近所述第一基板的一面与远离所述第一基板的一面的正对面的面积，d表示所述第一检测标记图形的厚度，C表示所述第一检测标记图形在所述第一基板上的η层图形上的对应区域的总电容，C1表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第一层图形上的对应区域的电容，C2表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第二层图形上的对应区域的电容，CV1表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第η-1层图形上的对应区域的电容，ε表示介电常数。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述光刻检测图形，判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整，包括：获取所述光刻检测图形的光刻图像；判断所述光刻图像与预设光刻图像是否匹配；若所述光刻图像与所述预设光刻图像匹配，则确定不需要对曝光工艺的曝光参数进行调整；若所述光刻图像与所述预设光刻图像不匹配，则确定需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述光刻胶图形还包括光刻掩膜图形，所述光刻掩膜图形位于所述第一基板的显示区域，所述通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，包括：通过涂覆工艺在第一基板上形成光刻胶层；通过曝光工艺，采用第一掩膜板对所述光刻胶层进行曝光；通过显影工艺，对曝光后的光刻胶层进行显影得到光刻胶图形；其中，所述第一掩膜板包括:掩膜图形区域和检测图形区域，所述掩膜图形区域设置有掩膜图形，所述检测图形区域设置有检测图形，所述光刻掩膜图形与所述掩膜图形对应，所述光刻检测图形与所述检测图形对应。7.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述光刻检测图形位于所述第一基板的非显示区域。8.-种光刻参数调整装置，其特征在于，所述装置包括：光刻模块，用于通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，所述光刻胶图形包括光刻检测图形；判断模块，用于根据所述光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整；调整模块，用于在需要对所述光刻参数进行调整时，对所述光刻参数进行调整。9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述光刻工艺包括涂覆工艺和曝光工艺，所述光刻参数包括涂覆参数和曝光参数，所述判断模块，包括：第一判断子模块，用于判断所述光刻检测图形的厚度分布是否均匀；确定子模块，用于在所述光刻检测图形的厚度分布不均匀时，确定需要对涂覆工艺的涂覆参数进行调整；第二判断子模块，用于在所述光刻检测图形的厚度分布均匀时，根据所述光刻检测图形，判断是否需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述光刻检测图形包括:多个检测标记图形，所述第一判断子模块，包括：第一确定单元，用于确定所述多个检测标记图形中的每个检测标记图形的厚度；判断单元，用于判断所述多个检测标记图形的厚度是否相等；第二确定单元，用于在所述多个检测标记图形的厚度相等时，确定所述光刻检测图形的厚度分布均匀；第三确定单元，用于在所述多个检测标记图形中存在至少两个检测标记图形的厚度不相等时，确定所述光刻检测图形的厚度分布不均匀。11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述第一确定单元，用于：确定第一检测标记图形对应的电容，所述第一检测标记图形为所述多个检测标记图形中的任一检测标记图形；根据厚度确定公式确定所述第一检测标记图形的厚度，所述厚度确定公式为：其中，Cn表示所述第一检测标记图形对应的电容，η表示所述第一检测标记图形位于所述第一基板的第η层，S表示所述第一检测标记图形上靠近所述第一基板的一面与远离所述第一基板的一面的正对面的面积，d表示所述第一检测标记图形的厚度，C表示所述第一检测标记图形在所述第一基板上的η层图形上的对应区域的总电容，C1表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第一层图形上的对应区域的电容，C2表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第二层图形上的对应区域的电容，CV1表示所述第一检测标记图形在所述第一基板的第η-1层图形上的对应区域的电容，ε表示介电常数。12.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第二判断子模块，用于：获取所述光刻检测图形的光刻图像；判断所述光刻图像与预设光刻图像是否匹配；若所述光刻图像与所述预设光刻图像匹配，则确定不需要对曝光工艺的曝光参数进行调整；若所述光刻图像与所述预设光刻图像不匹配，则确定需要对曝光工艺的曝光参数进行调整。13.根据权利要求8至12任一所述的装置，其特征在于，所述光刻胶图形还包括光刻掩膜图形，所述光刻掩膜图形位于所述第一基板的显示区域，所述光刻模块，用于：通过涂覆工艺在第一基板上形成光刻胶层；通过曝光工艺，采用第一掩膜板对所述光刻胶层进行曝光；通过显影工艺，对曝光后的光刻胶层进行显影得到光刻胶图形；其中，所述第一掩膜板包括:掩膜图形区域和检测图形区域，所述掩膜图形区域设置有掩膜图形，所述检测图形区域设置有检测图形，所述光刻掩膜图形与所述掩膜图形对应，所述光刻检测图形与所述检测图形对应。14.根据权利要求8至12任一所述的装置，其特征在于，所述光刻检测图形位于所述第一基板的非显示区域。15.-种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括:检测图形区域，所述检测图形区域设置有检测图形，所述检测图形用于在第一基板上形成光刻检测图形。16.根据权利要求15所述掩膜板，其特征在于，所述检测图形用于在第一基板上的非显示区域上形成光刻检测图形。17.根据权利要求16所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括:掩膜图形区域，所述检测图形区域位于所述掩膜图形区域的周边，所述掩膜图形区域设置有掩膜图形。18.根据权利要求17所述的掩膜板，其特征在于，所述检测图形包括多个检测标记图形，所述多个检测标记图形均匀分布在所述检测图形区域上。19.根据权利要求18所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的板面和所述掩膜图形区域均为矩形结构，所述检测图形区域为环形结构，且所述检测图形区域的内环和外环都呈矩形，所述检测图形区域围绕在所述掩膜图形区域的周围，且所述检测图形区域的内环的结构与所述掩膜图形区域的结构全等；所述多个检测标记图形包括六个检测标记图形，所述六个检测标记图形中的四个检测标记图形分布在所述掩膜图形区域的四个角在所述检测图形区域的对应位置上，另外两个检测标记图形分布在所述掩膜图形区域的两条长边的中点在所述检测图形区域的对应位置上。

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