申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

申请日：2020-06-01

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN212586494U

主分类号：G01R31/26(20140101)

分类号：G01R31/26(20140101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.23#授权

摘要：本实用新型涉及状态监测技术领域，公开了一种SiCMOSFET监测电路，包括采样模块，用于采集所述SiCMOSFET栅极的电信号；分析模块，与所述采样模块连接，用于将所述电信号与预设阈值进行比较，并根据比较结果判断所述SiCMOSFET是否老化失效。所述SiCMOSFET监测电路通过采样电路对所述SiCMOSFET的栅极电信号进行检测采集处理，并将采集到的电信号与预设阈值进行比较，根据比较结果判断所述SiCMOSFET是否老化失效。将本实用新型提供的所述SiCMOSFET监测电路应用在包含有SiCMOSFET器件的电路或系统中时，可以在不中断系统工作状态的情况下实现对所述SiCMOSFET器件状态的监测和老化失效预警，监测过程对系统正常工作的干扰小，且预测精度高。

主权项：1.一种SiCMOSFET监测电路，其特征在于，包括：采样模块，用于采集所述SiCMOSFET栅极的电信号；分析模块，与所述采样模块连接，用于将所述电信号与预设阈值进行比较，并根据比较结果判断所述SiCMOSFET是否老化失效。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) SiC MOSFET监测电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD