申请/专利权人：贝迪斯电子有限公司

申请日：2020-08-27

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN212587273U

主分类号：H01C7/00(20060101)

分类号：H01C7/00(20060101);H01C1/14(20060101);H01C1/16(20060101);H01C17/00(20060101);H01C17/12(20060101);H01C17/23(20060101);H01C17/232(20060101);H01C17/28(20060101);H01C17/30(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.23#授权

摘要：本实用新型属于片式薄膜电阻技术领域，具体涉及一种片式薄膜电阻网络，包括陶瓷基片，所述陶瓷基片正面溅镀有电阻膜层，电阻膜层由激光划线切割成若干电阻个体，每个电阻个体表面设有两个正面电极，所述正面电极由下到上包括阻挡层、电极底层和电极表层，所述电阻个体表面位于正面电极之间的部分设有钝化层。本实用新型相比现有技术具有以下优点：通过溅射钨钛膜层作为阻挡层，能够保护作为正面电极的稳定性，杜绝硫化现象；加工过程条件可控，所得片式薄膜电阻网络的电阻个体的绝对精度达到±0.05%，且对温度系数达到±5×10‑6K，相对温度系数达到±2×10‑6K，相对精度达到±0.02%。

主权项：1.一种片式薄膜电阻网络，包括陶瓷基片，所述陶瓷基片正面溅镀有电阻膜层，所述电阻膜层为镍铬合金膜，电阻膜层由激光划线切割成若干电阻个体，其特征在于，每个电阻个体表面设有成对设置、互相分离的两个正面电极，所述正面电极由下到上包括阻挡层、电极底层和电极表层，所述电阻个体表面位于正面电极之间的部分设有钝化层；所述阻挡层为溅射钨钛膜层，电极底层为溅射金层，电极表层为电镀金层；电极底层和电极表层的厚度和不小于3μm，溅射金层的厚度小于1μm；所述钝化层为电子束蒸发二氧化硅得到，钝化层厚度不小于1μm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 贝迪斯电子有限公司 一种片式薄膜电阻网络

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