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【发明公布】半导体芯片缺陷定位方法和定位模块_上海华力微电子有限公司_202011362183.3 

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

申请日:2020-11-27

公开(公告)日:2021-02-26

公开(公告)号:CN112414943A

主分类号:G01N21/01(20060101)

分类号:G01N21/01(20060101);G01N21/95(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.06.09#授权;2021.03.16#实质审查的生效;2021.02.26#公开

摘要:本发明公开了半导体芯片缺陷定位方法,包括:若不是合die扫描程式确认die内cell区域pitch,将自对准十字定位到diecorner的位置,将自对准十字原点到diecorner的距离表示为X*Y;若是合die扫描程式获取合die的合叠尺寸M*N,通过GDS确认单个die的尺寸A*B,将自对准十字原点在M*N区间中移动mA*nB的距离;通过X*Y定义聚焦尺寸,在X*Y区域内移动扫描镜头;将所有移动扫描镜头拍摄图像叠加计算pitch灰阶值均值为α;当其中某张pitch图像灰阶值与灰阶值均值α的差值大于阈值时,移动扫描镜头到该pitch图像位置,通过SEM图像手动确定是否为缺陷信号;若是缺陷信号,则选择该pitch为缺陷坐标原点设定位置;若不是缺陷信号,则继续选择下一张的pitch图像手动确定是否为缺陷信号,直到缺陷的pitch图像出现。

主权项:1.一种半导体芯片缺陷定位方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,判断芯片中die是否为合die扫描程式,若不是合die扫描程式则执行步骤S2,若是合die扫描程式则执行步骤S3;S2,确认die内cell区域pitch,将自对准十字定位到diecorner的位置,将自对准十字原点到diecorner的距离表示为X*Y;其中,X、Y为diecorner到自对准十字原点的横、纵坐标差值;S3,获取合die的合叠尺寸M*N,在M*N的区间中通过GDS确认单个die的尺寸A*B,将自对准十字原点在M*N区间中移动mA*nB的距离,重复步骤S4和S5;其中,m值范围为0-M,n值范围为0-N;S4,通过X*Y定义聚焦尺寸,在X*Y区域内移动扫描镜头;每次横向移动扫描镜头x距离,横向移动扫描镜头a次数,则a*x的区间范围为-X,+X;每次纵向移动扫描镜头y距离,纵向移动扫描镜头b次数,则b*y的区间范围为-Y,+Y;S5,将所有移动扫描镜头拍摄图像叠加计算pitch的灰阶值,获得灰阶值均值为α;当其中某张pitch图像灰阶值与灰阶值均值α的差值大于阈值时,移动扫描镜头到该pitch图像位置,通过SEM图像手动确定是否为缺陷信号;若是缺陷信号,则选择该pitch为缺陷坐标原点设定位置;若不是缺陷信号,则继续选择下一张的pitch图像手动确定是否为缺陷信号,直到缺陷的pitch图像出现。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海华力微电子有限公司 半导体芯片缺陷定位方法和定位模块

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