申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-06-03

公开（公告）日：2021-02-26

公开（公告）号：CN112420705A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101)

优先权：["20190823 US 16/549,594"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2023.11.03#发明专利申请公布后的撤回;2021.03.16#实质审查的生效;2021.02.26#公开

摘要：本发明涉及半导体结构形成。实例方法包含图案化半导体晶片的工作表面。所述实例方法包含在较高高宽比沟槽中执行电介质材料的第一沉积。所述实例方法进一步包含执行高压高温蒸汽蚀刻以使所述电介质材料在所述沟槽中凹进及执行所述电介质材料的第二沉积以继续填充所述沟槽。

主权项：1.一种用于图案化半导体晶片954的方法，其包括：图案化所述半导体晶片954的工作表面102、202、302；在较高高宽比沟槽中执行电介质材料103的第一沉积；执行高压高温蒸汽蚀刻以使所述电介质材料103在所述沟槽中凹进以减少倒塌；及执行所述电介质材料103的第二沉积以继续填充所述沟槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 半导体结构形成

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