申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2020-01-16

公开（公告）日：2021-02-26

公开（公告）号：CN111220634B

主分类号：G01N23/2055(20180101)

分类号：G01N23/2055(20180101);G01N23/207(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.26#授权;2020.06.26#实质审查的生效;2020.06.02#公开

摘要：本公开揭示了一种基于单个衍射峰的计算形变晶体材料位错密度的方法，包括：利用同步辐射能量扫描X射线衍射技术，获得形变晶体材料的衍射强度相对于衍射矢量模的实验强度分布曲线和无形变晶体材料的衍射强度相对于衍射矢量模的参考强度分布曲线；引入无量纲变量M，计算位错密度归一化后衍射峰的标准强度分布曲线；根据所述实验强度分布曲线和标准强度分布曲线，计算实验强度分布曲线的特定M值，记为M′；根据所述实验强度分布曲线、标准强度分布曲线和参考强度分布曲线的半高宽计算形变晶体材料的位错密度。本公开通过分析单个衍射峰的强度分布曲线就能获得形变晶体材料的位错密度，缩短了实验耗时。

主权项：1.一种基于单个衍射峰的计算形变晶体材料位错密度的方法，包括如下步骤：S100：利用同步辐射能量扫描X射线衍射技术，分别获得形变晶体材料的衍射强度相对于衍射矢量模的实验强度分布曲线IQ和无形变晶体材料的衍射强度相对于衍射矢量模的参考强度分布曲线IQ′；S200：引入无量纲变量M，计算位错密度归一化后形变晶体材料衍射峰的标准强度分布曲线IρSρM；S300：根据所述实验强度分布曲线IQ和标准强度分布曲线IρSρM，计算实验强度分布曲线的特定M值，记为M′；S400：根据所述实验强度分布曲线IQ、标准强度分布曲线IρSρM和参考强度分布曲线IQ′的半高宽计算形变晶体材料的位错密度，其中，所述形变晶体材料的位错密度表示为：ρ＝FWHM-FWHM0FWHMM′2其中，FWHM是实验强度分布曲线的半高宽，FWHM0是参考强度分布曲线的半高宽，FWHMM是标准强度分布曲线的半高宽，当M等于M′时，标准强度分布曲线的半高宽记为FWHMM′。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 基于单个衍射峰的计算形变晶体材料位错密度的方法

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