申请/专利权人：浙江天采云集科技股份有限公司

申请日：2020-12-23

公开（公告）日：2021-03-30

公开（公告）号：CN112573485A

主分类号：C01B3/50(20060101)

分类号：C01B3/50(20060101);C01B33/04(20060101);C07C7/00(20060101);C07C7/04(20060101);C07C7/12(20060101);C07C7/13(20060101);C07C9/04(20060101);C07C9/08(20060101);B01D53/047(20060101);B01D53/00(20060101);B01D3/32(20060101);B01D3/14(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.07.12#授权;2021.05.07#实质审查的生效;2021.03.30#公开

摘要：本发明公开了一种基于烷烃与硅烷反应的SiC‑CVD无氯外延制程尾气FTrPSA回收方法，通过预处理、浅冷变压吸附浓缩、吸附净化、变压吸附提氢、氢气纯化、中浅温冷凝、中浅冷精馏、丙烷精制和硅烷提纯工序，将来自基于烷烃与硅烷反应的无氯SiC‑CVD外延制程尾气中的H2、硅烷、C2+（丙烷）以及甲烷加以高纯度高收率的回收并返回SiC‑CVD制程循环使用，既实现无氯SiC‑CVD外延制程尾气的全组分（有效组分）回收再利用，又减少了尾气排放，弥补了SiC外延制程尾气处理技术的空白。

主权项：1.一种基于烷烃与硅烷反应的SiC-CVD无氯外延制程尾气FTrPSA回收方法，其特征在于，包括如下步骤：原料气，以甲烷（CH4）或丙烷（C3H8）为主要的碳（C）源，以硅烷（SiH4）为硅（Si）源进行化学气相沉积（CVD）制备基于碳化硅（SiC）外延生长无氯制程中的尾气，其主要组成为氢气（H2）、甲烷（CH4）、硅烷（SiH4）、丙烷（C3H8），以及微量的一氧化碳（CO）、二氧化碳（CO2）、高烃（CnHm），以及二氧化硅（SiO2）和碳（C）微细颗粒，压力为常压或低压，温度为常温。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江天采云集科技股份有限公司 一种基于烷烃与硅烷反应的SiC-CVD无氯外延制程尾气FTrPSA回收方法

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