申请/专利权人：中国科学院近代物理研究所

申请日：2019-08-14

公开（公告）日：2021-03-30

公开（公告）号：CN110493947B

主分类号：H05H7/00(20060101)

分类号：H05H7/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.03.30#授权;2019.12.17#实质审查的生效;2019.11.22#公开

摘要：本发明涉及一种用于加速器射频谐振腔高功率输入耦合器的偏压结构，其包括直流高压电源、第一滤波电阻和第二滤波电阻；直流高压电源通过直流高压线经短路板端与耦合器内导体连接，用于给耦合器内导体提供直流高压，使耦合器内外导体之间形成电压差，产生恒定电场，从而破坏耦合器内外导体之间二次电子倍增现象的形成条件；位于直流高压线上设置有第一滤波电阻和第二滤波电阻，两个滤波电阻串联，用于扼制直流高压线上的电磁场传播；第一滤波电阻靠近短路板端用于一级滤波，第二滤波电阻远离短路板端用于二级滤波。本发明简化了传统结构的复杂度，解决了泄漏自耦合器内的电磁场沿直流高压线传播的问题。

主权项：1.一种用于加速器射频谐振腔高功率输入耦合器的偏压结构，其特征在于：包括直流高压电源、第一滤波电阻和第二滤波电阻；所述直流高压电源通过直流高压线经短路板端与耦合器内导体连接，用于给耦合器内导体提供直流高压，使耦合器内外导体之间形成电压差，产生恒定电场，从而破坏耦合器内外导体之间二次电子倍增现象的形成条件；位于所述直流高压线上设置有所述第一滤波电阻和第二滤波电阻，两个滤波电阻串联，用于扼制所述直流高压线上的电磁场传播；所述第一滤波电阻靠近短路板端用于一级滤波，所述第二滤波电阻远离所述短路板端用于二级滤波，所述第一滤波电阻左侧导线上电磁场强度经一级滤波后远小于所述第一滤波电阻右侧导线电磁场强度，所述第二滤波电阻左侧导线上电磁场强度经二级滤波后远小于所述第二滤波电阻右侧导线上电磁场强度；所述耦合器内导体与内方盒连接处设置有绝缘片，用于隔绝耦合器内外导体，同时隔绝耦合器内导体与射频功率源端内导体，使耦合器外导体接地，直流高压能单独施加于耦合器内导体，而不施加于射频功率源端内导体以免击毁功率源。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院近代物理研究所 一种用于加速器射频谐振腔高功率输入耦合器的偏压结构

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