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【发明公布】一种藉由偏压电压来减少颗粒污染的装置和方法_汉辰科技股份有限公司_202011073413.4 

申请/专利权人:汉辰科技股份有限公司

申请日:2020-10-09

公开(公告)日:2021-04-06

公开(公告)号:CN112614767A

主分类号:H01J37/317(20060101)

分类号:H01J37/317(20060101);H01L21/67(20060101)

优先权:["20191004 US 62/910,785"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.09.30#实质审查的生效;2021.04.06#公开

摘要:本发明提供偏压电压到组件例如法拉第杯来减少颗粒产生并且阻止颗粒自组件剥离,颗粒可以是布植离子及或布植离子与组件材料的结合。偏压电压的强度必须没有明显地影响晶圆的离子布植,也必须明显地阻止自偏压组件发射的辐射及或电子。如何提供与调整偏压电压并不需要限制,额外的电压源与修改的前置放大器二者都是可行的。进一步地,由于偏压电压会改变法拉第杯所产生的电场,邻近于法拉第杯的离子束的收敛会被减少,进而极小化分析器所测量到的离子束以及法拉第杯所接收到的离子束二者间的可能差距。

主权项:1.一种离子布植系统,包含:一离子束产生器,配置用于产生一离子束;一晶圆吸盘,配置用于固持一晶圆;一法拉第杯,配置用于接收至少一部分的该离子束;以及一偏压电压源,电性地连接到该法拉第杯,在此该偏压电压源配置用于当该离子束被自该离子束产生器被传导到该晶圆时施加一偏压电压到该法拉第杯。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 汉辰科技股份有限公司 一种藉由偏压电压来减少颗粒污染的装置和方法

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