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【发明公布】LDMOS器件及其制备方法_无锡华润上华科技有限公司_201910948286.9 

申请/专利权人:无锡华润上华科技有限公司

申请日:2019-10-08

公开(公告)日:2021-04-09

公开(公告)号:CN112635541A

主分类号:H01L29/06(20060101)

分类号:H01L29/06(20060101);H01L29/40(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.08.12#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要:本发明涉及一种LDMOS器件及其制备方法,通过在半导体衬底和层间介质层之间设置阻挡层阻,可以在刻蚀层间介质层形成场板孔时使得场板孔刻蚀停止于阻挡层阻上。通过在阻挡层与漂移区之间设置第一氧化层,可以使得阻挡层表面形成台阶。由于阻挡层具有至少一层刻蚀停止层,且阻挡层表面形成有台阶,因此形成的至少两级孔场板呈阶梯状分布,且从栅极结构到漏区方向,第1级孔场板至第n级孔场板的下端逐渐远离所述漂移区,进而可以使得漂移区的前端和后段电场分布更均匀,提高LDMOS器件的击穿电压。另外,由于本申请中取消了漏区附近的浅沟槽隔离结构,因此可降低导通电阻。

主权项:1.一种LDMOS器件的制备方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底中形成有体区和漂移区,所述体区内设置源区,所述漂移区内设置漏区,且所述半导体衬底上还形成有栅极结构;在所述半导体衬底上沉积第一氧化层,所述第一氧化层位于所述漏区和部分所述漂移区上;在所述半导体衬底上形成阻挡层,所述阻挡层包括n-1层刻蚀停止层,其中n为大于等于2的整数,当n大于2时,所述刻蚀停止层层叠设置,相邻所述刻蚀停止层之间设置有绝缘层,所述阻挡层覆盖所述漂移区和所述第一氧化层,所述阻挡层具有台阶,所述漂移区上对应的所述阻挡层所在的平面低于所述第一氧化层上对应的所述阻挡层所在的平面;形成层间介质层并刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层,以形成n级场板孔,其中,所述漂移区上对应的第1层刻蚀停止层至第n-1层刻蚀停止层上分别对应设置第1级场板孔至第n-1级场板孔,还在所述第一氧化层上对应的第n-1层刻蚀停止层上设置第n级场板孔。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 无锡华润上华科技有限公司 LDMOS器件及其制备方法

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