申请/专利权人:无锡华润上华科技有限公司
申请日:2019-10-08
公开(公告)日:2021-04-09
公开(公告)号:CN112635540A
主分类号:H01L29/06(20060101)
分类号:H01L29/06(20060101);H01L29/40(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.09.09#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开
摘要:本发明涉及一种LDMOS器件及其制备方法中,阻挡层包括n层刻蚀停止层,相邻两层刻蚀停止层之间设置绝缘层,由于层间介质层、绝缘层的材料相同均为氧化物,且不同于刻蚀停止层的材料,因此刻蚀氧化物时可以分别停止于n层刻蚀停止层上,以在n层刻蚀停止层上分别形成n级场板孔。靠近栅极结构的第1级场板孔下端与漂移区的距离最小,靠近漏区的第n级场板孔与漂移区的距离最大,进而可以使得漂移区的前端和后端电场分布更均匀,可有效改善漂移区的电场分布,使得漂移区的前端和后端电场分布均匀,获得更高的击穿电压。
主权项:1.一种LDMOS器件的制备方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底中形成有漂移区和体区,所述漂移区内设置漏区,所述体区内设置源区;在所述半导体衬底上沉积阻挡层,所述阻挡层包括n层刻蚀停止层,其中n为大于等于2的整数,所述刻蚀停止层层叠设置,第1层刻蚀停止层至第n层刻蚀停止层依次远离所述半导体衬底,相邻所述刻蚀停止层之间设置有绝缘层;形成层间介质层,并刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层以形成n级场板孔,其中,第1层刻蚀停止层上至第n层刻蚀停止层上依次对应设置第1级场板孔至第n级场板孔。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 无锡华润上华科技有限公司 LDMOS器件及其制备方法
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