申请/专利权人：上海磁宇信息科技有限公司

申请日：2019-10-08

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635649A

主分类号：H01L43/08(20060101)

分类号：H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101);H01L27/22(20060101);G11C11/16(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括双层结构的自由层，两自由层之间由非磁性金属氧化物形成的垂直各向异性增强层，以及设置于自由层上方的磁阻尼阻挡层。本申请通过双自由层结合垂直各向异性增强层的磁性隧道结结构设计，增强了器件的热稳定性，降低了阻尼系数，有利于写电流的降低。

主权项：1.一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，设置于磁性随机存储单元，所述磁性隧道结由上至下结构包括覆盖层、磁阻尼阻挡层、自由层、势垒层、参考层、晶格隔断层、反铁磁层与种子层，其特征在于，所述自由层包括：第一自由层，设置于所述势垒层上，所述第一自由层为可变磁极化层，由含非磁性掺杂元素的磁性金属合金或其化合物形成的单层或多层结构；垂直各向异性增强层，设置于所述第一自由层上，所述垂直各向异性增强层为非磁性金属氧化物形成；第二自由层，设置于所述垂直各向异性增强层上，所述第二自由层为可变磁极化层，由含非磁性掺杂元素的磁性金属合金或其化合物形成的单层或多层结构；以及其中，所述垂直各向异性增强层用于实现所述第一自由层与第二自由层的磁性耦合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海磁宇信息科技有限公司 磁性隧道结结构及磁性随机存储器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD