申请/专利权人：TDK株式会社;国立大学法人东京工业大学

申请日：2019-09-11

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112640137A

主分类号：H01L41/187(20060101)

分类号：H01L41/187(20060101);B41J2/14(20060101);G11B5/58(20060101);G11B21/10(20060101);H01L41/09(20060101);H01L41/113(20060101);H01L41/319(20060101);H02N2/02(20060101)

优先权：["20180912 JP 2018-170608"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：介电薄膜包含金属氧化物，金属氧化物包含铋、钠、钡和钛，金属氧化物的至少一部分为具有钙钛矿结构的正方晶，至少一部分的正方晶的100面在介电薄膜3的表面的法线方向dn上取向。

主权项：1.一种包含金属氧化物的介电薄膜，其特征在于：所述金属氧化物包含铋、钠、钡和钛，所述金属氧化物的至少一部分为具有钙钛矿结构的正方晶，至少一部分的所述正方晶的100面在所述介电薄膜的表面的法线方向上取向。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TDK株式会社;国立大学法人东京工业大学 介电薄膜、介电薄膜元件、压电致动器、压电传感器、磁头组件、磁头悬臂组件、硬盘驱动器、打印头和喷墨打印装置

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