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【发明公布】存储装置_株式会社半导体能源研究所_201980051607.3 

申请/专利权人:株式会社半导体能源研究所

申请日:2019-07-29

公开(公告)日:2021-04-09

公开(公告)号:CN112640089A

主分类号:H01L21/8242(20060101)

分类号:H01L21/8242(20060101);H01L21/8239(20060101);H01L27/105(20060101);H01L27/108(20060101);H01L29/786(20060101)

优先权:["20180809 JP 2018-150387","20180809 JP 2018-150595"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.08.20#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要:提供一种新颖的存储装置。该存储装置包括延伸在第一方向上的多个第一布线、多个存储元件群以及沿着第一布线的侧面延伸的氧化物层,该存储元件群的每一个都包括多个存储元件,该存储元件的每一个包括第一晶体管及电容器。第一晶体管的栅电极与第一布线电连接。氧化物层包括与第一晶体管的半导体层接触的区域。在邻接的存储元件群之间设置第二晶体管。对第二晶体管的源电极和漏电极中的一个或两个供应高电源电位。

主权项:1.一种存储装置,包括:延伸在第一方向上的多个第一布线;多个氧化物层;第一存储元件群;以及第二存储元件群,其中,所述多个第一布线包括:与所述第一存储元件群重叠的区域;以及与所述第二存储元件群重叠的区域,所述多个氧化物层中之一包括沿着所述第一布线中之一的侧面延伸的区域,所述第一存储元件群和所述第二存储元件群包括多个存储元件,所述多个存储元件的每一个都包括晶体管及电容器,在所述多个存储元件的每一个中,所述晶体管的栅电极与所述多个第一布线中之一电连接,所述晶体管的半导体层包括与所述多个氧化物层中之一接触的区域,并且,配置在所述第一存储元件群的端部的存储元件所包括的晶体管的栅电极与配置在所述第二存储元件群的端部的存储元件所包括的晶体管的栅电极之间的最短距离为3.5μm以下。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社半导体能源研究所 存储装置

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