申请/专利权人：南京低功耗芯片技术研究院有限公司

申请日：2020-12-30

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112634958A

主分类号：G11C11/417(20060101)

分类号：G11C11/417(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种降低SRAM睡眠状态漏电的电路，包含PVT追踪模块和阵列刷新模块；PVT追踪模块，用于追踪温度变化和全局工艺偏差，输出一个参考电压值；阵列刷新模块，用于根据PVT追踪电路的输出参考电压值，动态调节SRAM存储阵列的供电电压。本发明用一串连接的MOS管对电源电压进行分压，以多个分压点处的电压值作为参考值，给数据保持的复制单元进行供电，从而追踪不同PVT条件下合适的翻转点电压；同时，阵列采用交替的供电方式，使其在睡眠状态下能够在极低保持电压下尽心数据保持，从而带来更低的阵列漏电。

主权项：1.一种降低SRAM睡眠状态漏电的电路，其特征在于，包含PVT追踪模块1和阵列刷新模块2；所述PVT追踪模块，用于追踪温度变化和全局工艺偏差，输出一个参考电压值；所述阵列刷新模块，用于根据PVT追踪电路的输出参考电压值，动态调节SRAM存储阵列的供电电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京低功耗芯片技术研究院有限公司 一种降低SRAM睡眠状态漏电的电路

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