申请/专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司

申请日：2020-12-31

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635574A

主分类号：H01L29/786(20060101)

分类号：H01L29/786(20060101);H01L21/336(20060101);G02F1/1368(20060101);G02F1/1362(20060101);G03F1/80(20120101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.09#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本申请适用于显示技术领域，提供了一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法，通过在第一道光罩制程中，制备包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层的源漏极层及光刻胶层；和或，在第二道光罩制程中，将第二次湿刻的持续时间缩短为85S～95S；和或，在第二道光罩制程中，将第二次干刻的持续时间延长为40S～50S，可以有效减小接触层的拖尾大小、增大栅极层和漏源极层之间的通道长度和沟道区域的长度，使薄膜晶体管的关态电流正常，提高基于该薄膜晶体管实现的液晶显示面板的可靠性降低，降低产生画面异常的概率。

主权项：1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在第一道光罩制程中，在玻璃基板层制备栅极层并图形化栅极层；在栅极层远离玻璃基板层的一面制备栅极绝缘层、有源层、接触层、源漏极层及光刻胶层；在第二道光罩制程中，对光刻胶层进行曝光显影；进行第一次湿刻，图形化源漏极层，形成源漏极区域和有源区域的金属导线结构；进行第一次干刻，图形化有源层和接触层，形成有源层和接触层的岛状结构；进行氧气灰化，降低光刻胶层的厚度以露出沟道区域的源漏极层；进行第二次湿刻，图形化漏源极层；进行第二次干刻，刻蚀有源层和接触层，形成薄膜晶体管结构；其中，源漏极层包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层；和或，第二次湿刻的持续时间为85S～95S；和或，第二次干刻的持续时间为40S～50S。

全文数据：

权利要求：

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