【发明公布】蚀刻方法、损伤层的去除方法和存储介质_东京毅力科创株式会社_202010966419.8 

申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

申请日:2020-09-15

发明/设计人:清水昭贵

公开(公告)日:2021-04-09

代理机构:北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)

公开(公告)号:CN112635317A

代理人:刘新宇;李茂家

主分类号:H01L21/3065(20060101)

地址:日本东京都

分类号:H01L21/3065(20060101)

优先权:["20190924 JP 2019-172528"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.04.09#公开

摘要:本发明涉及蚀刻方法、损伤层的去除方法和存储介质。一种技术,其可以充分去除使用包含CF系气体的气体的等离子体蚀刻后的图案中生成的损伤层。一种蚀刻方法,其具备:准备具有在含硅部分上形成的蚀刻对象部的基板的工序;利用包含CF系气体的处理气体的等离子体,将基板的蚀刻对象部等离子体蚀刻成规定图案的工序;和,将损伤层去除的工序,所述损伤层是通过等离子体蚀刻而C和F注入到在图案底部露出的含硅部分中来生成的,将损伤层去除的工序具备如下工序:供给包含氧的自由基和包含氟的自由基,将损伤层用包含氟的自由基进行蚀刻并利用包含氧的自由基进行氧化,以形成损伤层的氧化物的工序;和,利用基于气体的化学处理或自由基处理,将氧化物去除的工序。

主权项:1.一种蚀刻方法,其具备如下工序:准备具有在含硅部分上形成的蚀刻对象部的基板的工序;利用包含CF系气体的处理气体的等离子体,将所述基板的所述蚀刻对象部等离子体蚀刻成规定图案的工序;和,将损伤层去除的工序,所述损伤层是通过所述等离子体蚀刻而C和F注入到在所述图案底部露出的所述含硅部分中来生成的,将所述损伤层去除的工序具备如下工序:供给包含氧的自由基和包含氟的自由基,将所述损伤层用所述包含氟的自由基进行蚀刻并利用所述包含氧的自由基进行氧化,形成所述损伤层的氧化物的工序;和,利用基于气体的化学处理或自由基处理,将所述氧化物去除的工序。

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