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【发明公布】制造方解石纳米流体通道_沙特阿拉伯石油公司_201980056054.0 

申请/专利权人:沙特阿拉伯石油公司

申请日:2019-08-27

公开(公告)日:2021-04-09

公开(公告)号:CN112639619A

主分类号:G03F7/038(20060101)

分类号:G03F7/038(20060101);G03F7/075(20060101);G03F7/32(20060101);G03F7/40(20060101)

优先权:["20180828 US 16/114,906"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要:本发明描述了用于制造纳米流体器件中的方解石通道的方法。将光致抗蚀剂层涂覆到氮化硅SiN衬底的顶表面上。在涂覆光致抗蚀剂层后,用电子束以预定图案扫描光致抗蚀剂层。将扫描的光致抗蚀剂显影,从而以预定图案暴露SiN衬底的顶表面的部分。使用方解石前体气体,利用原子层沉积ALD以预定图案沉积方解石。使用溶剂移除光致抗蚀剂层的剩余部分以暴露在SiN衬底的顶表面上以预定图案沉积的方解石,其中沉积的方解石的宽度在50至100纳米nm的范围内。

主权项:1.一种方法,所述方法包括:将光致抗蚀剂层涂覆到氮化硅SiN衬底的顶表面上;在涂覆所述光致抗蚀剂层之后,用电子束以预定图案扫描所述光致抗蚀剂层;将扫描的光致抗蚀剂显影,从而以所述预定图案暴露所述SiN衬底的所述顶表面的部分;使用方解石前体气体,利用原子层沉积ALD以所述预定图案沉积方解石;和使用溶剂移除所述光致抗蚀剂层的剩余部分以暴露在所述SiN衬底的所述顶表面上以所述预定图案沉积的方解石,其中所述沉积的方解石的宽度在50至100纳米nm的范围内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 沙特阿拉伯石油公司 制造方解石纳米流体通道

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