申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2020-09-24

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635562A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/16(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/266(20060101)

优先权：["20190924 DE 102019125676.3"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.27#授权;2022.09.20#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：提出了一种半导体器件100。半导体器件100包括碳化硅半导体本体102。第一导电类型的第一屏蔽区104电连接到碳化硅半导体本体102的第一表面108处的第一接触106。第二导电类型的电流扩散区110电连接到碳化硅半导体本体102的第二表面114处的第二接触112。第一屏蔽区104和电流扩散区110形成pn结116。电流扩散区110的掺杂浓度分布包括沿着垂直于第一表面108的竖向方向y的多个峰。多个掺杂峰P1、P2、P3、P4中的一个峰或一个峰组P1的掺杂浓度比电流扩散区110的多个峰中的任何其它峰P2、P3、P4的掺杂浓度大至少50%。电流扩散区110的一个峰或一个峰组P1与第一表面108之间的第一竖向距离vd1大于第一表面108与第一屏蔽区104的最大掺杂峰之间沿竖向方向y的第二竖向距离vd2。

主权项：1.一种半导体器件100，包括：碳化硅半导体本体102；第一导电类型的第一屏蔽区104，其中，所述第一屏蔽区104电连接到所述碳化硅半导体本体102的第一表面108处的第一接触106；第二导电类型的电流扩散区110，其中，所述电流扩散区110电连接到所述碳化硅半导体本体102的第二表面114处的第二接触112，所述第一屏蔽区104和所述电流扩散区110形成pn结116，其中，电流扩散区110的掺杂浓度分布包括沿着垂直于第一表面108的竖向方向y的多个峰P1、P2、P3、P4，其中，多个掺杂峰中的一个峰或一个峰组P1的掺杂浓度比电流扩散区110的多个峰中的任何其它峰P2、P3、P4的掺杂浓度大至少50%，并且电流扩散区110的一个峰或一个峰组P1与第一表面108之间的第一竖向距离vd1大于第一表面108与第一屏蔽区104的最大掺杂峰之间沿竖向方向y的第二竖向距离vd2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 包括电流扩散区的半导体器件

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