申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2020-09-24

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635342A

主分类号：H01L21/66(20060101)

分类号：H01L21/66(20060101)

优先权：["20190924 US 16/580,325"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.15#授权;2022.10.04#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：由扫描电子显微镜SEM的电子束扫描半导体装置。区域包括具有顶部开口和侧壁的三维3D特征。在改变所述电子束的能量值时，对所述3D特征进行成像。所述电子束撞击在所述半导体装置的所选择的区域内的第一点处并与所述侧壁进行相互作用，其中所述第一点在远离所述顶部开口的边缘的某一距离处。基于表示在所述边缘处的二次电子产率的信号随着所述电子束的所述能量值在SEM成像期间变化而发生的变化，确定所述侧壁是否从所述电子束的视线看被遮挡。可通过将所测量的信号与同各种斜率相对应的模拟波形进行比较来确定所述侧壁的斜率。

主权项：1.一种方法，包括：选择半导体装置的待由扫描电子显微镜SEM的电子束扫描的区域，其中所述区域包括具有顶部开口和侧壁的三维3D特征；在改变所述电子束的能量值时对所述3D特征进行成像，其中所述电子束撞击在所述半导体装置的所选择的区域内的第一点处并与所述侧壁进行相互作用，其中所述第一点在远离所述3D特征的边缘的某一距离处；和基于表示在所述边缘处的二次电子产率的信号随着所述电子束的所述能量值在SEM成像期间变化而发生的变化，确定所述侧壁是否从所述电子束的视线看被遮挡。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 电子束扫描电子显微镜用于表征从电子束的视线看被遮挡的侧壁的用途

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