申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2020-09-28

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635283A

主分类号：H01J37/32(20060101)

分类号：H01J37/32(20060101)

优先权：["20191008 JP 2019-185453"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.05.06#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明提供能够抑制清洁导致的过蚀刻和膜残留的控制装置、处理装置和控制方法。本发明的一个方式的控制装置控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，其包括：获取上述处理容器内的温度的温度获取部；存储部，其存储表示上述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含上述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息；速度计算部，其基于上述温度获取部获取到的上述温度和存储于上述存储部中的上述关系信息来计算上述沉积膜的蚀刻速度；以及时间计算部，其基于上述速度计算部计算出的上述蚀刻速度和存储于上述存储部中的上述膜厚信息来计算用于除去上述沉积膜的蚀刻时间。

主权项：1.一种控制装置，其控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，所述控制装置的特征在于，包括：获取所述处理容器内的温度的温度获取部；存储部，其存储表示所述处理容器内的温度与蚀刻速度的关系的关系信息和包含所述处理容器内的沉积膜的累积膜厚的膜厚信息；速度计算部，其基于所述温度获取部获取到的所述温度和存储于所述存储部中的所述关系信息来计算所述沉积膜的蚀刻速度；以及时间计算部，其基于所述速度计算部计算出的所述蚀刻速度和存储于所述存储部中的所述膜厚信息来计算用于除去所述沉积膜的蚀刻时间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 控制装置、处理装置和控制方法

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