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【发明公布】保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片_琳得科株式会社_202011052297.8 

申请/专利权人:琳得科株式会社

申请日:2020-09-29

公开(公告)日:2021-04-09

公开(公告)号:CN112625273A

主分类号:C08J5/18(20060101)

分类号:C08J5/18(20060101);C08L33/08(20060101);C08L63/00(20060101);C08K13/06(20060101);C08K9/04(20060101);C08K3/36(20060101);C08K7/18(20060101);C08K3/08(20060101);C08K5/544(20060101);C08K3/04(20060101);C08K5/00(20060101);C08K5/3467(20060101);B32B27/36(20060101);B32B27/06(20060101);B32B7/06(20060101);B32B7/12(20060101);B32B27/32(20060101);B32B27/08(20060101);H01L21/683(20060101)

优先权:["20191007 JP 2019-184719"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.08.05#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要:本发明提供一种保护膜形成用膜,其为用于在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜,利用保护膜的波长1400~1500nm下的吸光度的最小值Xmin与保护膜的60℃下的比热S60,且通过式:Z60=XminS60计算出的Z60为0.6以下。本发明还提供一种保护膜形成用复合片,其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。

主权项:1.一种保护膜形成用膜,其为用于在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜,利用所述保护膜的波长1400~1500nm下的吸光度的最小值Xmin与所述保护膜的60℃下的比热S60,并通过下述式计算出的Z60为0.6以下:Z60=XminS60。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 琳得科株式会社 保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片

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