申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2020-12-02

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635344A

主分类号：H01L21/66(20060101)

分类号：H01L21/66(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.16#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法包括如下步骤：步骤一、利用被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和电子束检测设备扫描形成的接触孔的图像亮度具有相关性的特点，预先形成被检测产品对应的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和对应的接触孔的图像亮度的拟合曲线。步骤二、采用电子束检测设备对被检测产品进行扫描并得到被检测产品上和多晶硅图形相套刻的接触孔的图像亮度。步骤三、结合拟合曲线将被检测产品对应的接触孔的图像亮度转换为被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差。本发明能在线快速且全面检测出接触孔和多晶硅图形的套刻偏差。

主权项：1.一种接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、利用被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和电子束检测设备扫描形成的所述接触孔的图像亮度具有相关性的特点，预先形成所述被检测产品对应的所述接触孔和所述多晶硅图形的套刻偏差和对应的所述接触孔的图像亮度的拟合曲线；步骤二、提供所述被检测产品，所述被检测产品上形成有所述多晶硅图形和所述接触孔；采用所述电子束检测设备对所述被检测产品进行扫描并得到所述被检测产品上和所述多晶硅图形相套刻的所述接触孔的图像亮度；步骤三、结合所述拟合曲线将所述被检测产品对应的所述接触孔的图像亮度转换为所述被检测产品的所述接触孔和所述多晶硅图形的套刻偏差。

全文数据：

权利要求：

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