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【发明公布】芯片封装方法及芯片封装结构_广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司_202011460680.7 

申请/专利权人:广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司

申请日:2020-12-11

公开(公告)日:2021-04-09

公开(公告)号:CN112635335A

主分类号:H01L21/48(20060101)

分类号:H01L21/48(20060101);H01L21/56(20060101);H01L23/31(20060101);H01L23/498(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.11.02#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要:本发明公开芯片封装方法,包括制备芯片封装用基底和芯片封装,包括以下步骤:提供第二衬底,在其一表面成型若干导电柱;提供第三衬底,在其一表面成型第二种子层以及在第二种子层上成型重布线层,并在重布线层和第二种子层上开设贯穿重布线层和第二种子层的过孔;将导电柱对准过孔嵌入,并使第二衬底与第三衬底贴合连接,制得芯片封装用基底;去除第二衬底和第三衬底中的其中一个,使导电柱的一端外露;提供若干芯片组,将芯片组倒装于芯片封装用基底的导电柱外露的一侧并进行塑封;去除第二衬底和第三衬底中的另一个,使导电柱的另一端外露,于导电柱外露的一端将芯片组电性引出。本发明在封装过程中可以有效降低翘曲现象,提高了芯片封装效果。

主权项:1.一种芯片封装方法,其特征在于,包括制备芯片封装用基底和芯片封装,其中,所述芯片封装用基底的制备包括以下步骤:提供玻璃材质的第二衬底,在所述第二衬底的一表面成型若干导电柱;提供玻璃材质的第三衬底,在所述第三衬底的一表面成型第二种子层以及在所述第二种子层上成型重布线层,并在所述重布线层和所述第二种子层上开设贯穿所述重布线层和所述第二种子层的过孔;将所述导电柱对准所述过孔嵌入至所述过孔内,并使所述第二衬底与所述第三衬底贴合连接,制得所述芯片封装用基底;所述芯片封装包括以下步骤:去除所述第二衬底和所述第三衬底中的其中一个,使所述导电柱的一端外露;提供若干芯片组,将所述芯片组倒装于所述芯片封装用基底的导电柱外露的一侧并进行塑封;去除所述第二衬底和所述第三衬底中的另一个,使所述导电柱的另一端外露,于所述导电柱外露的一端将所述芯片组电性引出。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 芯片封装方法及芯片封装结构

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