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【发明公布】电容极板接触孔的刻蚀方法_华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司_202011462812.X 

申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日:2020-12-14

公开(公告)日:2021-04-09

公开(公告)号:CN112635669A

主分类号:H01L49/02(20060101)

分类号:H01L49/02(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态:2022.12.13#发明专利申请公布后的撤回;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要:本申请涉及半导体集成电路制造领域,具体涉及电容极板接触孔的刻蚀方法,包括:提供带有电容结构的集成电路器件;通过光刻定义出上、下极板接触孔图案;进行初步刻蚀,形成的上极板接触孔的孔底与上极板之间剩余有第一厚度的介质层;通过刻蚀气体,对初步刻蚀后的所述集成电路器件进行等离子刻蚀,刻蚀去除第一厚度的介质层,使得所述刻蚀气体在所述集成电路器件外露的表面上发生聚合反应,形成聚合物;进行进一步刻蚀,刻蚀去除剩余在下极板接触孔孔底与下极板之间的第二厚度的介质层,使得下极板接触孔的孔底与下极板接触。本申请提供的电容极板接触孔的刻蚀方法,能够解决相关技术中因氧化层的厚度差异,导致极板刻穿的问题。

主权项:1.一种电容极板接触孔的刻蚀方法,其特征在于,所述电容极板接触孔的刻蚀方法包括:提供形成有电容结构的集成电路器件;所述电容结构包括绝缘层,所述绝缘层的上侧形成上极板,绝缘层的下侧形成下极板;所述电容结构的周围包裹有介质层;通过光刻工艺,在所述介质层上表面定义出上、下极板接触孔图案;根据所述上、下极板接触孔图案进行初步刻蚀,使得形成的上极板接触孔孔底与所述上极板之间剩余有第一厚度的介质层;通过刻蚀气体,对初步刻蚀后的所述集成电路器件进行等离子刻蚀,刻蚀去除第一厚度的介质层,使得所述刻蚀气体在所述集成电路器件外露的表面上发生聚合反应,形成聚合物;位于所述上极板接触孔孔底的聚合物与上极板接触;相接触的聚合物与上极板间发生反应生成含金属聚合物,使得所述聚合物在所述上极板接触孔的孔底位置处增厚;根据所述上、下极板接触孔图案进行进一步刻蚀,刻蚀去除剩余在所述下极板接触孔孔底与所述下极板之间的所述第二厚度的介质层,使得下极板接触孔的孔底与所述下极板接触;通入氧气,冲洗去除剩余的聚合物。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 电容极板接触孔的刻蚀方法

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