申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2020-12-15

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635396A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：一种金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法，包括提供一含有金属钴互连线层结构的衬底，在衬底上形成介质层；对介质层进行光刻刻蚀工艺，形成金属钨通孔层；利用湿法刻蚀工艺向下刻蚀位于金属钴互连线层结构表面的部分金属钴，在金属钨通孔层中的通孔底部形成铆钉状形貌；用选择性钨沉积工艺填充金属钨通孔层中的通孔，形成底部铆钉状的钨通孔；依次沉积TiN粘附层和金属钨层，在通孔层形成通孔钨塞覆盖层；对金属钨通孔层进行钨化学机械平坦化，去除通孔钨塞覆盖层，以形成平坦化的所述通孔层。本发明利用湿法工艺各向同性特点，在通孔底部形成铆钉状的钨来阻挡CMP研磨液渗透的方法，解决了7nm及以下节点钴缺失的问题。

主权项：1.一种金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供一具有金属钴互连线层结构的衬底，在衬底上形成介质层；步骤S2：对所述介质层进行标准光刻刻蚀工艺，形成图形化后的金属钨通孔层；其中，所述金属钨通孔层中的通孔贯穿所述介质层，停止在所述金属钴互连线层结构的表面；步骤S3：利用湿法刻蚀工艺向下刻蚀位于所述金属钴互连线层结构表面的部分金属钴，在所述金属钨通孔层中的通孔底部形成铆钉状形貌；步骤S4：利用选择性钨沉积工艺填充所述金属钨通孔层中的通孔，形成底部铆钉状的钨通孔；步骤S5：依次沉积TiN粘附层和金属钨层，以在所述通孔层形成通孔钨塞覆盖层；步骤S6：对所述金属钨通孔层进行钨化学机械平坦化工艺，去除所述通孔钨塞覆盖层，以形成平坦化的所述通孔层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法

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