申请/专利权人：北京航天控制仪器研究所

申请日：2020-12-18

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112624031A

主分类号：B81B3/00(20060101)

分类号：B81B3/00(20060101);B81B7/00(20060101);B81B7/02(20060101);B81C1/00(20060101);B81C3/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.10.21#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明提供了一种带有过刻蚀阻挡层的MEMS结构及其制备方法，包括上层器件层、底层衬底层和中间的锚区层，通过衬底层和器件层晶圆键合与刻蚀技术，形成由锚区支撑的可动质量块结构。与传统SOG结构的带电极引出的可动质量块结构相比，本发明在器件层底部生长过刻蚀阻挡金属层，当刻蚀深度达到器件层厚度时，过刻蚀阻挡层能阻挡进一步刻蚀，避免损伤衬底层，且不会产生反溅。与在衬底电极层表面生长刻蚀阻挡层相比，该过刻蚀阻挡层具有更好的阻挡效果，且能避免刻蚀聚合物沉积在结构底部；完成结构加工后通过湿法腐蚀等方式选择性去除过刻蚀阻挡层，即可得到最终需要的MEMS产品结构。

主权项：1.一种带有过刻蚀阻挡层的MEMS结构，其特征在于，包括上层器件层1、底层衬底层2和中间的锚区层，所述锚区层分布着多个锚区3，器件层1和衬底层2通过锚区3连接；所述衬底层2上加工有电极引线8与焊盘10，两者为同一层的金属材料，采用同一工艺加工过程形成，引线8一端与焊盘10连接，另一端与锚区3连接；所述器件层1、锚区层均为低阻硅材料；器件层1上通过光刻、干法刻蚀形成多个孔隙4以在器件层1上形成MEMS敏感结构元件；在MEMS结构加工过程中器件层1底部设置有过刻蚀阻挡层7，结构加工完成后，过刻蚀阻挡层7被去除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京航天控制仪器研究所 一种带有过刻蚀阻挡层的MEMS结构及其制备方法

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