申请/专利权人：华南师范大学

申请日：2020-12-20

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635552A

主分类号：H01L29/40(20060101)

分类号：H01L29/40(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.03.19#发明专利申请公布后的驳回;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明涉及多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法，包括位于AlGaN层上的源极、第一钝化层、p型GaN区和漏极，源极和漏极位于第一钝化层的两端，p型GaN区位于第一钝化层中靠近源极；第二钝化层，形成于第一钝化层的表面；栅极形成于第二钝化层中，与p型GaN区的上表面接触；浮空栅极场板形成于栅极与漏极之间的第二钝化层中，位于第一钝化层的上表面，浮空栅极场板靠近栅极，与源极连接的源极场板，自源栅区域延伸至部分栅漏区域；与漏极连接的漏极场板，位于第二钝化层的上表面。其通过设置多栅极场板结构和源漏场板之间的分布方式有效扩大了耗尽区域，扩宽了栅极与其之间的电场分布，提高了击穿电压。

主权项：1.多栅极场板结构HEMT器件，其特征在于，包括：依次层叠于Si衬底上的缓冲层、GaN通道层和AlGaN层；位于AlGaN层上的源极、第一钝化层、p型GaN区域和漏极，所述源极和漏极位于所述第一钝化层的两端，所述p型GaN区域位于所述第一钝化层中靠近所述源极；第二钝化层，形成于所述第一钝化层的表面；栅极，形成于所述第二钝化层中，与所述p型GaN区域的上表面接触；浮空栅极场板，形成于栅极与漏极之间的第二钝化层中，位于所述第一钝化层的上表面，所述浮空栅极场板靠近所述栅极，其中所述浮空栅极场板有n个，n≥1；与所述源极连接的源极场板，位于所述第二钝化层的上表面，自源栅区域延伸至部分栅漏区域；与所述漏极连接的漏极场板，位于所述第二钝化层的上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南师范大学 多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法

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