申请/专利权人：上海复存信息科技有限公司

申请日：2020-12-22

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635665A

主分类号：H01L45/00(20060101)

分类号：H01L45/00(20060101);H01L27/24(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.08.17#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种基于多层掩膜套刻的面内岛状铁电阻变存储器单元结构及其制备方法，包括：铁电单晶薄膜，所述铁电单晶薄膜的下部设置有过渡层且过渡层的下部设有硅基外围电路，所述铁电单晶薄膜覆盖在过渡层表面且铁电单晶薄膜的上部形成互联金属，所述互联金属的内部形成通孔且通孔内设置有通孔金属，所述互联金属之间设置有铁电阻变存储器单元凸起。本发明工艺流程与工艺设备结合，本方法的多层套刻步骤流程化，操作简单方便，安全可靠，且在套刻过程中设置测量和定位步骤，增加了识别标记的准确性，提高了生产质量；本方法通过调节，可以得到畴壁稳定的面内岛状铁电阻变存储器单元。

主权项：1.一种基于多层掩膜套刻的面内岛状铁电阻变存储器单元结构，其特征在于：包括：铁电单晶薄膜1，所述铁电单晶薄膜1的下部设置有过渡层2且过渡层2的下部设有硅基外围电路3，所述铁电单晶薄膜1覆盖在过渡层2表面且铁电单晶薄膜1的上部形成互联金属5，所述互联金属5的内部形成通孔且通孔内设置有通孔金属4，所述互联金属5之间设置有铁电阻变存储器单元凸起6。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海复存信息科技有限公司 一种基于多层掩膜套刻的面内岛状铁电阻变存储器单元结构及其制备方法

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