申请/专利权人：广东省科学院半导体研究所

申请日：2020-12-25

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635557A

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/20(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件。本发明的堆叠栅极结构包括含铟的三族氮化物半导体薄膜和p型掺杂的三族氮化物半导体薄膜，含铟的三族氮化物半导体薄膜可阻挡p型掺杂三族氮化物半导体中的Mg扩散到势垒层中，也可通过本身材料中的极化电荷消弱沟道层中的二维电子气，提高常关型HEMT器件的阈值电压。

主权项：1.一种适用于常关型HEMT器件的堆叠栅极结构，其特征在于，由下到上依次层叠有隔离层、p型掺杂层和栅电极，其中，所述隔离层为含铟的三族氮化物半导体薄膜，所述p型掺杂层为p型掺杂的三族氮化物半导体薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东省科学院半导体研究所 一种堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件

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