申请/专利权人：株式会社村田制作所

申请日：2016-07-05

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN107852146B

主分类号：H03H9/19(20060101)

分类号：H03H9/19(20060101);H03H9/10(20060101)

优先权：["20150709 JP 2015-137534"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.09#授权;2018.04.20#实质审查的生效;2018.03.27#公开

摘要：本发明的水晶振动片的特征在于，具备：AT切割型的水晶片，呈板状，在从主面的法线方向观察时呈矩形状；和第一外部电极及第二外部电极，它们在上述主面上设置为在上述主面的短边延伸的短边方向上排列，上述主面的长边与上述水晶片的Z'轴实质上平行，上述主面的短边与上述水晶片的X轴实质上平行，上述水晶片的主振动的频率为20.0MHz以上60.0MHz以下，在上述第一外部电极与上述第二外部电极的在上述短边方向上的间隔为Pmm、上述水晶片的主振动的频率为FMHz的情况下，0.050≤P≤－0.0047×F+1.728成立。

主权项：1.一种水晶振子，其特征在于，具备：水晶振动片，包括水晶片、第一外部电极及第二外部电极；和基板，包括板状的基板主体、设置在该基板主体的主面上的第三外部电极及第四外部电极，上述水晶片呈板状，上述水晶片是在从主面的法线方向观察时呈矩形状的AT切割型的水晶片，上述第一外部电极和上述第二外部电极在上述主面上设置为在该主面的短边延伸的短边方向上排列，上述主面的长边与上述水晶片的Z′轴实质上平行，上述主面的短边与上述水晶片的X轴实质上平行，上述第一外部电极和上述第三外部电极经由第一导电性粘合剂而被固定，并且第二外部电极和上述第四外部电极经由第二导电性粘合剂而被固定，上述第一导电性粘合剂与上述水晶振动片接触的部分和上述第二导电性粘合剂与该水晶振动片接触的部分的在上述短边方向上的最短间隔为Pmm，在上述水晶片的主振动的频率为37.4MHz的情况下，0.370≤P≤0.683成立。

全文数据：水晶振动片以及水晶振子技术领域[0001]本发明涉及AT切割型的水晶振动片以及水晶振子。背景技术[0002]作为与以往的水晶振子相关的发明，例如，已知有专利文献1所记载的水晶振子。该水晶振子具备水晶振动片，该水晶振动片包括水晶片和2个外部电极。水晶片是呈矩形状的AT型的水晶片。水晶片的长边与Z方向（切出水晶片的方向）一致。另外，2个外部电极被设置为在水晶片的短边方向上排列。而且，水晶振动片的2个外部电极经由导电性粘合剂固定于陶瓷基板的2个外部电极。由此，水晶振动片在其短边附近固定于陶瓷基板。[0003]然而，在专利文献1所记载的水晶振子中，存在晶体阻抗值（以下，CI值增大的问题。更详细而言，安装水晶片的陶瓷基板的热膨胀系数约为7.OX1T6°C。另一方面，水晶片的X方向的热膨胀系数约为13.0X1Γ6°C，水晶片的Z方向的热膨胀系数约为10.0X1T6°C。因此，水晶片的X方向的热膨胀系数与陶瓷基板的热膨胀系数之差比水晶片的Z’方向的热膨胀系数与陶瓷基板的热膨胀系数之差大。因此，若水晶片的长边与Z方向一致且水晶片的短边与X方向一致，则在被固定的水晶片的短边，水晶片的热膨胀系数与陶瓷基板的热膨胀系数之差增大。因此，在使将水晶振动片固定于陶瓷基板时的导电性粘合剂热固化的工序中，在陶瓷基板的延伸和水晶片的短边附近的延伸上产生较大的偏差。其结果，在水晶振动片和陶瓷基板冷却之后，在2个外部电极附近在水晶片上产生残留应力。这样的残留应力成为水晶振子的CI值增大的原因。[0004]专利文献1:日本特开2014—179770号公报发明内容[0005]因此，本发明的目的在于提供一种能够减少CI值的水晶振动片以及水晶振子。[0006]本发明的一个方式的水晶振子的特征在于，具备：水晶振动片，包括水晶片、第一外部电极及第二外部电极;和基板，包括板状的基板主体、设置在该基板主体的主面上的第三外部电极及第四外部电极，上述水晶片呈板状，上述水晶片是在从主面的法线方向观察时呈矩形状的AT切割型的水晶片，上述第一外部电极和上述第二外部电极在上述主面上设置为在该主面的短边延伸的短边方向上排列，上述主面的长边与上述水晶片的Z轴实质上平行，上述主面的短边与上述水晶片的X轴实质上平行，上述水晶片的主振动的频率为20.OMHz以上60.OMHz以下，上述第一外部电极和上述第三外部电极经由第一导电性粘合剂而被固定，并且第二外部电极和上述第四外部电极经由第二导电性粘合剂而被固定，在上述第一导电性粘合剂与上述水晶振动片接触的部分和上述第二导电性粘合剂与该水晶振动片接触的部分的在上述短边方向上的最短间隔为Pmm、上述水晶片的主振动的频率为FMHz的情况下，0·050彡P彡一0·0047XF+1·728成立。[0007]另外，本发明的一个方式的水晶振动片的特征在于，具备:AT切割型的水晶片，呈板状，在从主面的法线方向观察时呈矩形状;和第一外部电极及第二外部电极，它们在上述主面上设置为在该主面的短边延伸的短边方向上排列，上述主面的长边与上述水晶片的Z轴实质上平行，上述主面的短边与上述水晶片的X轴实质上平行，上述水晶片的主振动的频率为20.OMHz以上60.OMHz以下，在上述第一外部电极与上述第二外部电极的在上述短边方向上的间隔为Pmm、上述水晶片的主振动的频率为FMHz的情况下，0.050彡P彡一0.0047XF+1.728成立。[0008]根据本发明，能够降低CI值。附图说明[0009]图1是水晶振子10的外观立体图。[00Ί0]图2是水晶振子10的分解立体图。[0011]图3是图1的A—A的剖面结构图。[0012]图4是从一Z侧俯视由本申请发明者进行的计算机模拟所使用的模型的图。[0013]图5是从+Y侧俯视由本申请发明者进行的计算机模拟所使用的模型的图。[0014]图6是表不模拟结果的坐标图。[0015]图7是表示间隔Pmm与主振动的频率FMHz的关系的坐标图。[0016]图8是示有第四样本中的水晶片17的应力分布的图。[0017]图9是示有第九样本中的水晶片17的应力分布的图。[0018]图10是示有第十四样本中的水晶片17的应力分布的图。[0019]图11是示有第九样本中的水晶片17的应力分布的图。[0020]图12是示有实验结果的坐标图。[0021]图13是变形例的水晶振子IOa的剖面结构图。[0022]图14是水晶振荡器300的剖面结构图。具体实施方式[0023]水晶振子的结构）[0024]以下，参照附图对本发明的一个实施方式的具备水晶振动片的水晶振子进行说明。图1是水晶振子10的外观立体图。图2是水晶振子10的分解立体图。图3是图1的A—A的剖面结构图。[0025]以下，将相对于水晶振子10的主面的法线方向定义为上下方向，在从上侧观察时，将水晶振子10的长边延伸的方向定义为长边方向，将水晶振子10的短边延伸的方向定义为短边方向。另外，以下，也有以水晶片17的AT切割的轴向为基准对各结构进行说明的情况。[0026]如图1至图3所示，水晶振子10具备基板12、金属盖14、水晶振动片16以及钎料50。水晶振子10的短边的宽度为1.0mm，水晶振子10的长边的长度为1.2mm。[0027]基板12电路基板的一个例子包括有基板主体21、外部电极22、26、40、42、44、46、通孔导体25、28、54、56以及金属化膜30。[0028]基板主体21呈板状，在从上侧观察时，呈矩形状。基板主体21例如由氧化错质烧结体所谓的三氧化二铝等陶瓷绝缘性材料制成。在本实施方式中，基板主体21通过层叠由陶瓷材料制成的多个绝缘体层而构成。基板主体21在上下具有2个主面。将基板主体21的上侧的主面+Y侧的主面称为表面，将基板主体21的下侧的主面（一Y侧的主面称为背面。[0029]外部电极22、26在基板主体21的表面设置为在长边方向的一端侧排列在短边方向上。具体而言，外部电极22是设置在基板主体21的表面的一Z以及+X侧的角附近的矩形状的导体层。外部电极26是设置在基板主体21的表面的一Z以及一X侧的角附近的矩形状的导体层。[0030]外部电极40、42、44、46设置在基板主体21的背面的各角附近。外部电极40是设置在基板主体21的背面的一Z以及一X侧的角附近的正方形的导体层，在从上侧观察时，与外部电极26重叠。外部电极42是设置在基板主体21的背面的一Z以及+X侧的角附近的正方形的导体层，在从上侧观察时，与外部电极22重叠。外部电极44是设置在基板主体21的背面的+Z以及一X侧的角附近的正方形的导体层。外部电极46是设置在基板主体21的背面的+Z7以及+X侧的角附近的正方形的导体层。[0031]通孔导体25在上下方向上贯通基板主体21，对外部电极22和外部电极42进行电连接。通孔导体28在上下方向上贯通基板主体21，对外部电极26和外部电极40进行电连接。[0032]金属化膜30是设置在基板主体21的表面上的线状的金属膜，在从上侧（相对于表面的法线方向）观察时，呈长方形的环状。对于外部电极22、26而言，在从上侧观察时，它们设置在被金属化膜30围起的区域内。[0033]通孔导体54在上下方向上贯通基板主体21，对金属化膜30和外部电极46进行电连接。通孔导体56在上下方向上贯通基板主体21，对金属化膜30和外部电极44进行电连接。[0034]在这里，相对于图2所示的结构，能够使用向配置于基板主体21的对角的外部电极40和外部电极46传递激发信号的结构未图示的变形例。该变形例的结构能够通过对基板12使用多层结构来实现。在该情况下，贯通基板主体的一部分层设置的通孔导体25是对外部电极22和设置在处于多层结构的基板主体的中间的中间布线层上的中间布线进行电连接的结构，并且，贯通基板主体的一部分层设置的通孔导体54能够通过对中间布线和外部电极46进行电连接的结构来实现。若使用这样的多层结构的基板，处于俯视未重叠的位置的外部电极22和外部电极46能够经由通孔导体25、中间布线、通孔导体54电连接。此时，通孔导体54不与金属化膜30电连接。[0035]在该变形例的又一结构中，设置在多层结构的基板的表面的表面布线也可以与外部电极42和外部电极44接触，对外部电极42和外部电极44进行电连接。这样，通过对中间布线和通孔导体进行组合，能够实现在多层结构的基板的内部立体地布线的导电路径。进一步，形成从外部电极22延伸到基板主面上的引出电极，通过使通孔电极与该引出电极连接，能够实现更复杂的导电路径。[0036]外部电极22、26、40、42、44、46以及金属化膜30构成3层结构，具体而言，通过从下层侧到上层侧层叠钼层、镍层以及金层而构成。通孔导体25、28、54、56通过对形成于基板主体21的通孔埋入钼等导体而制成。[0037]水晶振动片16包括有水晶片17、外部电极97、98、激发电极100、101以及引出导体102、103。水晶片17呈板状，在从上侧观察时，呈矩形状。将水晶片17的上侧的主面称为表面，将水晶片17的下侧的主面称为背面。[0038]水晶片17例如是从水晶的原石等以规定的角度切出的AT切割型的水晶片。AT切割的水晶片17是在将人工水晶的结晶轴亦即X轴、Y轴、Z轴中的Y轴和Z轴围绕X轴从Y轴向Z轴的方向旋转了35度15分±1分30秒后的轴分别作为Y轴和Z轴的情况下，将与由X轴和Z轴确定的面平行的面作为主面切出的结构。如图2所示，水晶片17的表面和背面的长边与水晶片17的Z轴实质上平行。水晶片17的表面和背面的短边与水晶片17的X轴实质上平行。与水晶片17的表面或者背面相垂直的方向的厚度与水晶片17的Y轴实质上平行。所谓的实质上平行是指相对于Z轴、X轴大约±1度的范围内。使用了AT切割水晶片的水晶振动元件在较宽的温度范围内具有非常高的频率稳定性，另外，能够随时间的变化特性优异地进行制造。另外，AT切割水晶振动元件作为主要振动包括厚度剪切振动模式ThicknessShearMode。此外，对水晶片17实施斜面加工。但是，在图2、3中，并未表现实施斜面加工的点。[0039]由于水晶振子的尺寸收敛在长边方向的长度为1.2mm、短边方向的宽度为1.0mm的范围内，所以考虑包装的壁厚、密封材料的渗出、元件的安装精度等，例如，将水晶片17设计为水晶片17的长边方向的长度为0.80mm以下、水晶片17的短边方向的宽度为0.67mm以下。[0040]外部电极97是设置在水晶片17的一Z以及+X侧的角及其附近的导体层。外部电极97是从水晶片17的表面横跨到背面形成的，也形成于水晶片17的+X侧以及一Z侧的各侧面。由此，外部电极97与表面和背面的短边的+X侧的端部接触。外部电极98是设置在水晶片17的背面的一Z以及一X侧的角及其附近的导体层。外部电极98是从水晶片17的表面横跨到背面形成的，也形成于水晶片17的一X侧以及一Z侧的各侧面。由此，外部电极98与表面和背面的短边的一X侧的端部接触。因此，外部电极97、98排列在水晶片17的短边方向上。[0041]激发电极100设置在水晶片17的表面的中央，在从上侧观察时呈矩形状。激发电极101设置在水晶片17的背面的中央，在从上侧观察时呈矩形状。在从上侧观察时，激发电极100和激发电极101以一致的状态重叠。[0042]引出导体102设置在水晶片17的表面，对外部电极97和激发电极100进行连接。弓丨出导体103设置在水晶片17的背面，对外部电极98和激发电极101进行连接。外部电极97、98、激发电极100、101以及引出导体102、103例如通过在铬的基底层上层叠金来制成。[0043]水晶振动片16安装于基板12的表面。具体而言，外部电极22和外部电极97通过导电性粘合剂210以电连接的状态而被固定，外部电极26和外部电极98通过导电性粘合剂212以电连接的状态而被固定。作为导电性粘合剂210、212，例如，可举出有机硅系导电性粘合剂。[0044]金属盖14是具有矩形状的开口的壳体，例如，通过对铁镍合金或者钴镍合金的基体材料实施镀镍以及镀金制成。在本实施方式中，金属盖14是下侧开口的长方体状的箱，通过对铁镍合金的基体材料的表面实施镀镍以及镀金制成。[0045]钎料50配置在金属化膜30上。钎料50具有与金属化膜30实质相同的形状，呈长方形的环状。钎料50具有比金属化膜30低的熔点，例如，由金锡合金制成。钎料50例如通过印刷等形成在金属化膜30上。而且，在金属盖14的开口的外缘与钎料50接触的状态下，使金属化膜30熔融以及固化。由此，金属盖14在开口的外缘的全长上经由钎料50与金属化膜30接合。其结果，通过基板主体21的表面以及金属盖14形成封闭空间Sp。因此，水晶振动片16被收容在封闭空间Sp内。另外，封闭空间Sp通过金属盖14经由金属化膜30和钎料50紧贴于基板主体21，而保持在真空状态。但是，也可以是大气状态。此外，也可以代替钎料50,例如，使用低熔点玻璃、树脂等粘合剂，此时，金属化膜30未必是必须的。[0046]在水晶振子10中，夕卜部电极40、42与振荡电路电连接，从振荡电路输出定时信号。另外，对外部电极44、46施加接地电位。[0047]然而，本实施方式的水晶振子10为了降低Cl值，满足以下说明的条件。[0048]条件1:水晶片17的主振动的频率为20.OMHz以上60.OMHz以下。[0049]条件2:水晶片17的表面和背面的长边与水晶片17的Z轴实质平行。[0050]条件3:水晶片17的表面和背面的短边与水晶片17的X轴实际平行。[0051]条件4:在导电性粘合剂210与水晶振动片16接触的部分和导电性粘合剂212与水晶振动片16接触的部分的在短边方向上的最短间隔为Pmm、水晶片17的主振动的频率为FMHz的情况下，0·050彡P彡一0·0047XF+1·728成立。[0052]〈关于条件1[0053]水晶片17的主振动的频率取决于水晶片17的厚度T。因此，将水晶片17的厚度T设定为0.0278mm以上0.0835mm以下的范围内。[0054][0055]水晶片一般在其短边附近利用导电性粘合剂固定于基板，另外，已知AT切割的水晶片的厚度剪切振动的振动方向为X轴方向。因此，以往的长边与X轴方向平行的水晶片容易受到经由短边侧的导电性粘合剂泄漏到基板的影响。与此相对，由于本实施方式的AT切割型的水晶片17的长边与Z轴方向平行，所以泄漏到Z轴区域的振动较少，即使在水晶片17的短边附近通过导电性粘合剂210、212固定于基板12的情况下，泄漏到基板的振动的影响也较少。因此，根据本实施方式的AT切割型的水晶片，与长边和X轴方向平行的水晶片相比，振动泄漏的影响较少，CI值良好。[0056][0057]在导电性粘合剂210与水晶振动片16接触的部分和导电性粘合剂与212水晶振动片16接触的部分的在短边方向上的最短间隔为Pmm、水晶片17的主振动的频率为FMHz的情况下，〇.050彡P彡一0.0047XF+1.728成立。另外，更为优选在水晶片17的主振动的频率为37.4MHz的情况下，0.370彡P彡0.683成立。导电性粘合剂210与水晶振动片16接触的部分以及导电性粘合剂212与水晶振动片16接触的部分是水晶振动片16经由导电性粘合剂210、212固定于基板12的部分。即、所谓的最短间隔P意味着水晶振动片16经由导电性粘合剂210固定于基板12的部分和水晶振动片16经由导电性粘合剂212固定于基板12的部分的最短间隔。此外，在本实施方式中，在从上侧观察时，导电性粘合剂210、212被涂覆为未从外部电极97、98突出。因此，导电性粘合剂210与水晶振动片16接触的部分和导电性粘合剂212与水晶振动片16接触的部分分别是导电性粘合剂210与外部电极97接触的部分和导电性粘合剂212与外部电极98接触的部分。[0058]水晶振子的制造方法）[0059]以下，参照附图对水晶振子10的制造方法进行说明。[0060]首先，对基板12的制造方法进行说明。准备多个基板主体21排列成矩阵状的母基板。母基板例如由氧化铝质烧结体所谓的三氧化二铝等陶瓷绝缘性材料制成。[0061]接下来，在母基板上，对基板主体21的形成通孔导体25、28、54、56的位置照射光束，来形成贯通孔。进一步，向贯通孔填充钼等导电性材料，并使其干燥。之后，通过对导电性材料进行烧结，形成通孔导体25、28、54、56。[0062]接下来，在母基板的背面形成外部电极40、42、44、46的基底电极。具体而言，在母基板的背面上印刷钼层，并使其干燥。之后，对钼层进行烧结。由此，形成外部电极40、42、44、46的基底电极。[0063]接下来，在母基板的表面形成外部电极22、26和金属化膜30的基底电极。在母基板的表面上印刷钼层，并进行干燥。之后，对钼层进行烧结。由此，形成外部电极22、26以及金属化膜30的基底电极。[0064]接下来，对外部电极40、42、44、46、22、26以及金属化膜30的基底电极依次实施镀镍和镀金。由此，形成外部电极40、42、44、46、22、26以及金属化膜30。[0065]在这里，导电性材料向贯通孔的填充和针对母基板的外部电极等的印刷使用真空印刷等，从而能够同时形成。此时，对导电性材料和外部电极等同时进行烧制。[0066]另外，在母基板是陶瓷系烧结体绝缘性材料的情况下，在烧制前的片材状态下，进行贯通孔的形成、导电性材料的填充、外部电极22、26、40、42、44、46以及金属化膜30的印刷、干燥，之后，在层叠有多片的状态下进行加压紧贴形成层叠片材，并对其进行烧制，而能够同时完成通孔导体、外部电极22、26、40、42、44、46、金属化膜30以及基板主体21。之后，实施与上述相同的电镀。[0067]接下来，利用切片机，将母基板分割为多个基板主体21。或者，利用激光等在母基板上形成分割槽，沿着该分割槽机械地分割。[0068]接下来，对水晶振动片16的制造方法进行说明。通过AT切割切出水晶的原石，得到矩形状的板状的水晶片17。此时，切割水晶的原石，使得水晶片17的表面和背面的长边与水晶片17的Z轴实质平行，水晶片17的表面和背面的短边与水晶片17的X轴实质平行。[0069]接下来，使用滚筒加工装置对水晶片17实施斜面加工。由此，水晶片17的棱线附近被削掉，使得水晶片17具有随着远离表面的中央厚度变小的剖面形状。[0070]接下来，在水晶片17上形成外部电极97、98、激发电极100、101以及引出导体102、103。此外，关于外部电极97、98、激发电极100、101以及引出导体102、103的形成，由于是一般的工序，所以省略说明。[0071]接下来，在基板主体21的表面安装水晶振动片16。具体而言，如图2和图3所示，利用导电性粘合剂210将外部电极22和外部电极97粘合，并且利用导电性粘合剂212将外部电极26和外部电极98粘合。此时，为了使导电性粘合剂210、212中的热固化性树脂固化，将基板12、水晶振动片16以及导电性粘合剂210、212加热到180°C。[0072]接下来，通过钎料50将金属盖14安装于基板12。经由以上的工序，水晶振子10完成。[0073]效果）[0074]根据本实施方式的水晶振动片16以及水晶振子10,通过满足条件1〜条件4,能够降低CI值。图4是从左侧观察本申请发明者进行的计算机模拟所使用的模型的图。图5是从上侧俯视本申请发明者进行的计算机模拟所使用的模型的图。[0075]在表面和背面的长边与水晶片17的Z轴实质平行的（以下，称为Z长水晶片17中，本申请发明者为了调查合适的间隔P，进行了以下说明的计算机模拟。本申请发明者制作了以下说明的第一模型〜第十五模型，运算出了对水晶片17实施的最大应力。最大应力在导电性粘合剂210、212和水晶片17接触的部分产生。另外，应力是米塞斯Mises的等同应力。[0076]以下，对模拟条件进行说明。如图4和图5所示，本申请发明者制作了在基板12上通过导电性粘合剂210、212固定有水晶片17的模型。此时，本申请发明者使水晶片17的厚度变化为3种从而使主振动的频率F变化。进一步，在3种厚度的水晶片17的模型的每一个模型中，使间隔P变化为5种。表1是示有水晶片17的条件的表，表2是示有基板12的条件的表，表3是示有导电性粘合剂210、212的条件的表。表4是示有第一模型至第十五模型的间隔P的表。[0077][表1][0078][0079][表2][0080][0081][表3][0082][0083][表4][0084][0085]图6是示有模拟结果的坐标图。纵轴表示最大应力MPa，横轴表示间隔Pmm。[0086]在普通的水晶振子中，表面和背面的长边与水晶片的X轴实质平行（以下，称为X长）。短边方向的宽度为2.0mm、长边方向的宽度为2.5mm的X长的水晶振子被设计为最大应力为50MPa以下。由此，根据经验可知，水晶振子的CI值被抑制在充分低的值具体而言为70Ω以下）。因此，本申请发明者在图6的坐标图中，对水晶片17的主振动的每个频率卿、每个厚度读取了最大应力为50MPa的间隔P时，得出了以下的结果。[0087]20MHz:P=1.63mm[0088]37.4MHz:P=1.56mm[0089]60MHz:P=1.44mm[0090]因此，本申请发明者基于上述结果，创建了图7所示的坐标图。图7是示有间隔Pmm与主振动的频率FMHz的关系的坐标图。纵轴表示间隔P，横轴表示频率F。[0091]参照图7,3点实质上位于一条直线上。因此，若通过最小平方法数学表达该直线，则为P=—0.0047XF+1.728。因此，若间隔P为该直线以下的范围内，则可知最大应力为50MPa以下。即、若P彡一0.0047XF+1.728成立，则可知CI值被抑制在较低的值70Ω以下）。[0092]但是，间隔P的下限为0.050mm。因为若间隔P小于0.050mm，则导电性粘合剂210和导电性粘合剂212过度接近，而有短路的可能性。[0093]然而，已知水晶片17的短边方向的宽度和长边方向的长度如以下说明的那样，对CI值的减少几乎没有贡献。图8是示有第四样本中的水晶片17的应力分布的图。图9是示有第九样本中的水晶片17的应力分布的图。图10是示有第十四样本中的水晶片17的应力分布的图。图11是示有第九样本中的水晶片17的应力分布的图。在图8〜图10中，是从左侧观察各样本的图。图11是从上侧观察样本的图。[0094]如图8至图10所示可知，在水晶片17中，应力集中在导电性粘合剂210的一X侧的端部附近和导电性粘合剂212的+X侧的端部附近。即、在水晶片17中的比导电性粘合剂210靠+X侧的部分和比导电性粘合剂212靠一X侧的部分几乎不产生应力。因此，水晶片17中的比导电性粘合剂210靠+X侧的部分和水晶片17中的比导电性粘合剂212靠一X侧的部分的长度可以是任意的。[0095]如图11所示可知，在水晶片17中，应力集中在导电性粘合剂210、212的上侧附近。即、在水晶片17中的比导电性粘合剂210、212靠+Z侧的部分几乎不产生应力。因此，水晶片17中的比导电性粘合剂210、212靠+Z侧的部分的长度可以是任意的。但是，优选水晶片17的表面和背面的长边的长度（即、长边方向的长度为2.Omm以下。因为若水晶片17的长边方向的长度过长，则水晶片17变重，对导电性粘合剂210、212施加的负荷增大。[0096]接下来，本申请发明者为了求出间隔P的更优选的值进行了以下说明的实验。更详细而言，制作了以下说明的第一样本至第三样本，并测定了CI值。CI值的测定利用网络分析仪安捷伦科技有限公司制，E5100A来进行。另外，实验是在25°C常温下进行的。表5是示有第一样本至第三样本的水晶片17以及激发电极100、101的长度、宽度、间隔P的条件的表。如表5所示，在第一样本至第三样本中，改变了间隔P。[0097][表5][0098][0099]图12是示有表5所示的频率为37.4MHz的各样本的实验结果的坐标图。纵轴表示Cl值，横轴表示间隔P。根据图12，在主振动的频率为37.4MHz的水晶振子10中，若间隔P为0.370mm以上0.683mm以下，则能够将CI值抑制在70Ω以下。综上所述，优选在水晶片17的主振动的频率为37.4MHz的情况下，0.370mm彡PSO.683mm成立。[0100]变形例）[0101]以下，参照附图对变形例的水晶振子IOa进行说明。图13是变形例的水晶振子IOa的剖面结构图。[0102]如图13所示，本变形例的水晶振子IOa具备包括水晶片17的水晶振动片16，与在上述实施方式中说明的水晶振子10相比，在基板12的背面设置有热敏电阻60的点不同。此外，水晶片17能够应用在上述实施方式中说明的结构。[0103]水晶振荡器）[0104]以下，参照附图对具备水晶片17的水晶振荡器300进行说明。图14是水晶振荡器300的剖面结构图。[0105]如图14所不，水晶振荡器300具备包括水晶片17的水晶振动片16,与图3的水晶振子10相比，在基板12的背面安装有IC302的点不同。此外，水晶片17能够应用在上述实施方式中说明的结构。[0106]其他实施方式）[0107]本发明的水晶振动片和水晶振子并不限于水晶振动片16和水晶振子10,能够在其主旨的范围内进行变更。[0108]此外，最短间隔P为导电性粘合剂210与水晶振动片16接触的部分和导电性粘合剂212与水晶振动片16接触的部分的在短边方向上的最短间隔，但由于以下的理由，也可以是外部电极97和外部电极98的在短边方向上的最短间隔。[0109]有导电性粘合剂210被涂覆为与外部电极97的一X侧的边接触，导电性粘合剂212被涂覆为与外部电极98的+X侧的边接触的情况。在该情况下，导电性粘合剂210与水晶振动片16接触的部分和导电性粘合剂212与水晶振动片16接触的部分的在短边方向上的最短间隔、与外部电极97和外部电极98的在短边方向上的最短间隔一致。因此，最短间隔P也可以是外部电极97和外部电极98的在短边方向上的最短间隔。[0110]此外，有在从上侧观察时，导电性粘合剂210、212分别被涂覆为从外部电极97、98突出的情况。特别是，有导电性粘合剂210相对于外部电极97向一X侧突出，导电性粘合剂212相对于外部电极98向+X侧突出的情况。在该情况下，导电性粘合剂210与水晶振动片16接触的部分和导电性粘合剂212与水晶振动片16接触的部分的在短边方向上的最短间隔P为导电性粘合剂210与水晶片17接触的部分和导电性粘合剂212与水晶片17接触的部分的最短间隔。综上所述，导电性粘合剂210、212与水晶振动片16接触的部分意味着导电性粘合剂210、212与水晶片17或者外部电极97、98接触的部分。[0111]如上所述，本发明对于水晶振动片以及水晶振子有用，特别是，在能够降低CI值的点优异。[0112]附图标记说明[0113]10、10a···水晶振子;12···基板;14···金属盖;16···水晶振动片；17···水晶片;21···基板主体;22、26、40、42、44、46、97、98〜外部电极;210、212〜导电性粘合剂;300〜水晶振荡器。

权利要求：1.一种水晶振子，其特征在于，具备：水晶振动片，包括水晶片、第一外部电极及第二外部电极;和基板，包括板状的基板主体、设置在该基板主体的主面上的第三外部电极及第四外部电极，上述水晶片呈板状，上述水晶片是在从主面的法线方向观察时呈矩形状的AT切割型的水晶片，上述第一外部电极和上述第二外部电极在上述主面上设置为在该主面的短边延伸的短边方向上排列，上述主面的长边与上述水晶片的Z轴实质上平行，上述主面的短边与上述水晶片的X轴实质上平行，上述水晶片的主振动的频率为20.OMHz以上60.OMHz以下，上述第一外部电极和上述第三外部电极经由第一导电性粘合剂而被固定，并且第二外部电极和上述第四外部电极经由第二导电性粘合剂而被固定，上述第一导电性粘合剂与上述水晶振动片接触的部分和上述第二导电性粘合剂与该水晶振动片接触的部分的在上述短边方向上的最短间隔为Pmm，在上述水晶片的主振动的频率为FMHz的情况下，0.050彡P彡一0.0047XF+1.728成立。2.根据权利要求1所述的水晶振子，其特征在于，上述水晶片的主振动的频率为37.4MHz，0.370彡P彡0.683成立。3.根据权利要求1或者2所述的水晶振子，其特征在于，上述主面的长边的长度为2.Omm以下。4.根据权利要求1〜3中任一项所述的水晶振子，其特征在于，上述第一外部电极与上述主面的短边的一端接触，上述第二外部电极与上述主面的短边的另一端接触。5.根据权利要求1〜4中任一项所述的水晶振子，其特征在于，上述基板主体的材料为陶瓷。6.根据权利要求1〜5中任一项所述的水晶振子，其特征在于，还具备盖，上述盖设置在上述基板主体上且覆盖上述水晶振动片。7.—种水晶振动片，其特征在于，具备：AT切割型的水晶片，呈板状，在从主面的法线方向观察时呈矩形状;和第一外部电极及第二外部电极，它们在上述主面上设置为在该主面的短边延伸的短边方向上排列，上述主面的长边与上述水晶片的Z轴实质上平行，上述主面的短边与上述水晶片的X轴实质上平行，上述水晶片的主振动的频率为20.OMHz以上60.OMHz以下，在上述第一外部电极与上述第二外部电极的在上述短边方向上的间隔为Pmm、上述水晶片的主振动的频率为FMHz的情况下，0.050彡P彡一0.0047XF+1.728成立。

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