申请/专利权人：东南大学;南京高华科技股份有限公司

申请日：2021-01-12

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112357877B

主分类号：B81B7/04(20060101)

分类号：B81B7/04(20060101);B81C1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.09#授权;2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要：本发明公开了一种MEMSSOI压力传感器及其制备方法，压力传感器包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、钝化层、电极层。压敏电阻为对SOI片的器件层进行光刻和离子注入得到，钝化层为对SOI片进行退火处理形成的SiO2，退火气氛为纯O2、O2H2O混合气、O2NO混合气、O2HCl混合气、O2CHF3混合气的一种，并通过退火处理消除光刻形成压敏电阻时由于过刻蚀对埋氧层表面造成的损伤，并抑制钝化层的体与界面缺陷及其俘获电荷引起的传感器稳定性问题。在压敏电阻下方正对的埋氧层和体硅层处开孔形成沟槽，有助于抑制因掺杂杂质进入压敏电阻下方的埋氧层所产生的缺陷，并有助于提高传感器的灵敏度。

主权项：1.一种MEMSSOI压力传感器，其特征在于，包括体硅层（1）、埋氧层（2）、衬底（9）、压敏电阻（3）、钝化层（4）、电极层（5）；所述体硅层（1）位于衬底（9）上表面，所述埋氧层（2）位于所述体硅层（1）上表面，所述体硅层（1）内部设有空腔（8），所述空腔（8）正上方的所述体硅层（1）与所述埋氧层（2）共同形成压力敏感薄膜；所述压敏电阻（3）位于所述埋氧层（2）上表面，所述钝化层（4）包裹所述压敏电阻（3）的上表面以及周侧，在所述钝化层（4）的顶部中央设有电极连接孔（6）；所述电极层（5）位于所述钝化层（4）的上表面，并通过所述电极连接孔（6）与所述压敏电阻（3）连接；其中，所述压敏电阻（3）为对SOI片的器件层进行光刻和离子注入后得到，所述钝化层（4）为对SOI片进行热退火处理形成的SiO2，退火气氛为纯O2、O2H2O混合气、O2NO混合气、O2HCl混合气、O2CHF3混合气的一种，并通过所述热退火处理恢复光刻形成所述压敏电阻（3）时由于过刻蚀对所述埋氧层（2）表面造成的损伤；在所述压敏电阻（3）下方正对的埋氧层（2）和体硅层（1）处开孔形成沟槽（10）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学;南京高华科技股份有限公司 一种MEMS SOI压力传感器及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD